机译:具有高击穿电压的C掺杂GaN缓冲层,用于通过MOVPE在4英寸Si衬底上进行大功率操作的AlGaN / GaN HFET
机译:通过MOCVD生长的4英寸Si(111)衬底上的AlGaN / GaN HFET的缓冲击穿电压
机译:具有2.7μm厚外延层,最大截止态击穿电压为500 V的4英寸硅衬底上的AlGaN / GaN HEMT
机译:通过MOVPE在4英寸Si(111)衬底上具有高击穿电压的AlGaN / GaN HFET的制造
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:用透射电子显微镜分析在alGaN / alN应变层超晶格的4英寸si(111)衬底上生长的GaN层中c + a和-c + a位错之间的反应
机译:在siC衬底上使用alGaN HFET制造5.8 GHz功率放大器,用于无线电力传输