掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)
Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
雷达科学与技术
北京电子
信息技术与标准化
电子技术
中兴通讯技术(英文版)
磁性材料及器件
电源技术应用
飞通光电子技术
强激光与粒子束
电信技术研究
更多>>
相关外文期刊
放送技術
Production Solutions
Elektronik wireless
Telecommunications
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
Ericsson review
Pervasive Computing, IEEE
Sampling theory in signal and image processing
Journal of issues in informing science & information technology
IEEE transactions on device and materials reliability
更多>>
相关中文会议
2000年中国卫星在因特网中的应用技术研讨会
辽宁省通信学会2010年通信网络与信息技术年会
中国通信学会2002年光缆电缆学术年会
2008年全国博士生学术会议——暨新一代信息技术的发展趋势、核心技术与应用前景研讨会
中国电子学会敏感技术分会电压敏专业学部第二十届电压敏学术年会
第二届DDS技术与应用研讨会
2002电子产品防护技术研讨会
第十一届全国LED产业与技术研讨会
第四届全国消费电子技术交流会
第三届国际绿色电子制造技术与产业发展研讨会
更多>>
相关外文会议
Symposium on Materials Science of Microelectromechanical Systems (MEMS) Devices IV, Nov 25-28, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Conference on SAR Image Analysis, Modeling, and Techniques III, Sep 25-27, 2000, Barcelona, Spain
Student Posters(General)
23rd World occam and Transputer User Group Technical Meeting, Sep 10-13, 2000, Canterbury, United Kingdom
Telecommunications, 2009. AICT '09
Fourth Creativity & Cognition Conference, Oct 13-17, 2002, Loughborough, UK
Conference on Liquid Crystals VI, Jul 8-9, 2002, Seattle, Washington, USA
Infrared imaging systems: design, analysis, modeling, and testing XXIII.
中、日、韩航海学会学术交流会(Asia Navigation Conference 2009)
Conference on Sixth Pacific Northwest Fiber Optic Sensor Workshop; May 14-15, 2003; Troutdale, Oregon, USA
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Band coupling model of electron and hole mediated ferromagnetism in Semiconductors: The case of GaN
机译:
半导体中电子和空穴介导的铁磁性的能带耦合模型:以GaN为例
作者:
Su-Huai Wei
;
Gustavo M. Dalpian
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
diluted magnetic semiconductors;
band coupling model;
ferromagnetism;
hole;
electron;
GaN;
2.
AZO films with Al nano-particles to improve the light extraction efficiency of GaN based light-emitting diodes
机译:
具有Al纳米粒子的AZO膜可提高GaN基发光二极管的光提取效率
作者:
Ying-Hung Chou
;
Jheng-Tai Yan
;
Hsin-Ying Lee
;
Ching-Ting Lee
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
AZO;
co-sputter;
GaN;
light-emitting diodes (LEDs);
nano-particles;
ZnO;
3.
Optimization of semipolar GaInN/GaN blue/green light emitting diode structures on {1-101} GaN side facets
机译:
在{1-101} GaN侧面上优化半极性GaInN / GaN蓝色/绿色发光二极管结构
作者:
T. Wunderer
;
J. Hertkorn
;
F. Lipski
;
P. Brueckner
;
M. Feneberg
;
M. Schirra
;
K. Thonke
;
I. Knoke
;
E. Meissner
;
A. Chuvilin
;
U. Kaiser
;
F. Scholz
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
light emitting diode;
semipolar;
QCSE;
InGaN;
GaN;
indium incorporation;
4.
Photoluminescence study of near-surface GaN/AlN superlattices
机译:
近表面GaN / AlN超晶格的光致发光研究
作者:
P. P. Paskov
;
B. Monemar
;
T. Paskova
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN/AIN heterostructures;
superlattices;
photoluminescence;
two-electron gas;
5.
Piezoelectric Quantum 1/f Noise in Nitride-Based Heterostructures
机译:
基于氮化物的异质结构中的压电量子1 / f噪声
作者:
Peter H. Handel
;
Hadis Morkoc
;
Engkee Sia
;
Amanda M. Truong
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
quantum 1/f noise;
GaN, AlGaN;
ferroelectric nitride compound semiconductors;
conventional quantum 1/f effect;
1/f noise in heterostructures;
noise in HFETs and MODFETs;
1/f noise-based FET reliability tests;
6.
16 nm tuning range of blue InGaN laser diodes achieved by 200 K temperature increase
机译:
通过增加200 K的温度实现蓝色InGaN激光二极管的16 nm调谐范围
作者:
K. Komorowska
;
P. Wisniewski
;
R. Czernecki
;
P. Prystawko
;
M. Leszczynski
;
T. Suski
;
I. Grzegory
;
S. Porowski
;
S. Grzanka
;
T. Swietlik
;
L. Marona
;
T. Stacewicz
;
P. Perlin
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
laser diodes;
temperature tuned LD;
tunable lasers;
gallium nitride;
GaN;
7.
1/f Noise in Nitride-Based Spintronic Devices
机译:
基于氮化物的自旋电子器件中的1 / f噪声
作者:
Peter H. Handel
;
Amanda M. Truong
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
quantum 1/f noise;
spintronics;
GaN;
ferromagnetic nitrides;
conventional quantum 1/f effect;
spin-controlled compound semiconductor electronics;
1/f noise;
GMR devices;
8.
Recent Status of White LEDs and Nitride LDs
机译:
白光LED和氮化物LD的最新状况
作者:
Takashi Miyoshi
;
Tomoya Yanamoto
;
Tokuya Kozaki
;
Shin-ichi Nagahama
;
Yukio Narukawa
;
Masahiko Sano
;
Takao Yamada
;
Takashi Mukai
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
LED;
white;
efficiency;
LD;
488nm;
9.
RGB LED with smart control in the backlight lighting
机译:
RGB LED在背光和照明中具有智能控制
作者:
Johnson C. S. Ku
;
C. J. Lee
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
RGB LED selection;
smart control;
10.
Status of GaN HEMT performance and reliability
机译:
GaN HEMT性能和可靠性的现状
作者:
Daniel S. Green
;
J.D. Brown
;
R. Vetury
;
S. Lee
;
S.R. Gibb
;
K. Krishnamurthy
;
M.J. Poulton
;
J. Martin
;
J.B. Shealy
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN HEMT;
gallium nitride;
reliability;
radio frequency;
power amplifier;
11.
AlGaN/GaN MULTIPLE QUANTUM WELLS GROWN BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
机译:
通过原子层沉积法生长的AlGaN / GaN多量子阱
作者:
M. H. Lo
;
Z. Y. Li
;
J. R. Chen
;
T. S. Ko
;
T. C. Lu
;
H. C. Kuo
;
S. C. Wang
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
atomic layer deposition;
AlGaN;
UV;
quantum well;
12.
Epitaxial lateral overgrowth of (1100) m-plane GaN on m-plane 6H-SiC by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法在m平面6H-SiC上生长(1100)m平面GaN的外延横向过生长
作者:
X. Ni
;
UE. OEzguer
;
S. Chevtchenko
;
J. Nie
;
H. Morkoc
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
m-plane GaN;
epitaxial lateral overgrowth;
MOCVD;
m-plane SiC;
photoluminescence;
13.
Evolution of surface morphology of polar and nonpolar GaN thin films during photoelectrochemical etching
机译:
极性和非极性GaN薄膜光电化学蚀刻过程中表面形貌的演变
作者:
J. Leach
;
UE. Oezguer
;
X. Ni
;
J. Xie
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
photoelectrochemical etching (PEC);
epitaxial lateral overgrowth (ELO);
Nano-ELO;
14.
GaN Schottky barrier and metal-semiconductor-metal photodetectors with in situ SiN_x nanonetwork
机译:
具有原位SiN_x纳米网络的GaN肖特基势垒和金属-半导体-金属光电探测器
作者:
J.Xie
;
J. Mateo
;
UE. OEzguer
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
MOCVD;
UV detector;
MSM;
schottky;
SiN_x;
15.
Dynamics of intervalley transitions and propagation of coherent acoustic phonons in GaN single crystals studied by femtosecond pump-probe spectroscopy
机译:
飞秒泵浦-探针光谱法研究GaN单晶中的区间跃迁和相干声子的传播动力学
作者:
Shuai Wu
;
Jie Zhang
;
A. Belousov
;
J. Karpinski
;
Roman Sobolewski
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN single crystals;
time-resolved intervalley scattering;
coherent acoustic phonons;
femtosecond pump-probe spectroscopy;
femtosecond pulsed lasers;
16.
Epitaxial lateral overgrowth of GaN on AlGaN/(111)Si micropillar array fabricated by polystyrene microsphere lithography
机译:
聚苯乙烯微球光刻技术在AlGaN /(111)Si微柱阵列上外延生长GaN
作者:
Guan-Ting Chen
;
Chia-Hua Chan
;
Chia-Hung Hou
;
Hsueh-Hsing Liu
;
Nai-Wei Shiu
;
Mao-Nan Chang
;
Chii-Chang Chen
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
dislocation;
Si substrate;
MOCVD;
17.
Development of UV-photocathodes using GaN film on Si substrate
机译:
在硅衬底上使用GaN膜开发紫外光电阴极
作者:
S. Fuke
;
M. Sumiya
;
T. Nihashi
;
M. Hagino
;
M. Matsumoto
;
Y. Kamo
;
M. Sato
;
K. Ohtsuka
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
UV;
photocathode;
GaN;
high quantum efficiency;
Si substrate;
low-cost;
18.
Comparative study of deep levels in GaN grown on different templates
机译:
不同模板上生长的GaN中深能级的比较研究
作者:
J. Nie
;
S. A. Chevtchenko
;
J. Xie
;
X. Ni
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
deep levels;
ELO;
dislocation reduction;
19.
Comparative study of electroluminescence efficiency of blue (In,Ga)N and red GaAs quantum well diodes
机译:
蓝色(In,Ga)N和红色GaAs量子阱二极管的电致发光效率的比较研究
作者:
T. Inada
;
H. Jimi
;
K. Fujiwara
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
electroluminescence;
InGaN;
light-emitting-diodes;
quantum wells;
20.
Degradation modes of high-power InGaN/GaN laser diodes on low-defect GaN substrates
机译:
低缺陷GaN衬底上大功率InGaN / GaN激光二极管的降解模式
作者:
C. C. Kim
;
Y. Choi
;
Y. H. Jang
;
M. K. Kang
;
Minho Joo
;
M. S. Noh
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
AlInGaN blue-violet laser diode;
mirror degradation;
carbon contamination;
reliability;
activation energy;
21.
Nanopatterning and selective area epitaxy of GaN on Si substrate
机译:
Si衬底上GaN的纳米图案化和选择区外延
作者:
L. S. Wang
;
S. J. Chua
;
S. Tripathy
;
K. Y. Zang
;
B. Z. Wang
;
J. H. Teng
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN on Si substrate;
nanopatterning;
selective area epitaxy;
micro-structural characterization;
optical spectroscopy;
22.
Modeling and Experimental Analysis of RPCVD based Nitride film growth
机译:
基于RPCVD的氮化物膜生长的建模和实验分析
作者:
C. Martin
;
K.S.A. Butcher
;
M. Wintrebert-Fouquet
;
A. Fernandes
;
T. Dabbs
;
P. P-T Chen
;
R. Carmen
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
remote plasma chemical vapour deposition;
gallium nitride;
metal organic chemical vapour deposition;
photoluminescence;
scanning electron microscopy;
X-Ray pole figures;
23.
Investigation of cross-sectional potential distribution in GaN-based field effect transistors by Kelvin probe force microscopy
机译:
用开尔文探针力显微镜研究GaN基场效应晶体管中的截面电势分布
作者:
M. Kaneko
;
A. Hinoki
;
A. Suzuki
;
T. Araki
;
Y. Nanishi
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
kelvin probe force microscopy;
two-dimensional potential distribution;
cleaved surface;
nitride semiconductor;
field effect transistor;
surface and interface;
24.
The role of anisotropy for the defect properties in a-plane GaN
机译:
各向异性对a面GaN中缺陷性质的作用
作者:
R. Kroeger
;
T. Paskova
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
a-plane GaN;
defects;
anisotropy;
transmission electron microscopy;
25.
True blue InGaN laser for pieo size projectors
机译:
适用于Pieo尺寸投影仪的真蓝InGaN激光器
作者:
U. Strauss
;
S. Brueninghoff
;
M. Schillgalies
;
C. Vierheilig
;
N. Gmeinwieser
;
V. Kuemmler
;
G. Bruederl
;
S. Lutgen
;
A. Avramescu
;
D. Queren
;
D. Dini
;
C. Eichler
;
A. Lell
;
U. T. Schwarz
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
InGaN laser;
blue laser;
projection;
pico projection;
wall plug efficiency;
26.
Use of Quantum 1/f Noise Formulas in the Reliability Characterization of Nitride-Based Heterostructures
机译:
量子1 / f噪声公式在基于氮化物的异质结构可靠性表征中的应用
作者:
Peter H. Handel
;
Hadis Morkoc
;
Amanda M. Truong
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
reliability testing by noise;
quantum 1/f noise;
AlGaN/GaN HFETs;
1/f noise in heterostructures;
1/f Noise and reliability of HFETs and FETs;
radiation hardening;
QWIPs;
27.
Structural Defects and Degradation of High Power Pure-Blue GaN-based Laser Diodes
机译:
高功率纯蓝GaN基激光二极管的结构缺陷和退化
作者:
Shigetaka Tomiya
;
Osamu Goto
;
Masao Ikeda
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
pure-blue laser diodes;
MOCVD;
GaN substrate;
GaInN alloy crystal;
dislocation;
inversion domain boundary;
COD failure mode;
current injection-free structure;
28.
Ill-Nitride Based Deep Ultraviolet Light Sources
机译:
基于不适氮化物的深紫外光源
作者:
M. S. Shur
;
R. Gaska
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
deep ultraviolet LEDs MEMOCVD~(TM);
AlGaN;
GaN;
Nitrides;
29.
Millimeter-wave GaN HFET technology
机译:
毫米波GaN HFET技术
作者:
Masataka Higashiwaki
;
Takashi Mimura
;
Toshiaki Matsui
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
heterostructure field-effect transistor (HFET);
millimeter-wave;
catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD);
current-gain cutoff frequency (f_T);
maximum oscillation frequency (f_(max));
30.
Recent Progress of GaN Electronic Devices for Wireless Communication System
机译:
用于无线通信系统的GaN电子器件的最新进展
作者:
T. Kikkawa
;
K. Imanishi
;
N. Hara
;
H. Shigematsu
;
K. Joshin
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
HEMT;
FET;
base station;
power amplifier;
millimeter wave;
distortion;
efficiency;
MIS;
high-k;
31.
Progress in GaN Devices Performances and Reliability
机译:
GaN器件性能和可靠性方面的进展
作者:
P. Saunier
;
C. Lee
;
J. Jimenez
;
A. Balistreri
;
D. Dumka
;
H. Q. Tserng
;
M.Y. Kao
;
U. Chowdhury
;
P.C. Chao
;
K. Chu
;
A. Souzis
;
I. Eliashevich
;
S. Guo
;
J. del Alamo
;
J. Joh
;
M. Shur
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
AlGaN/GaN;
GaN;
MMIC;
DARPA MTO;
32.
Reliability Modeling of High Voltage AlGaN/GaN and GaAs Field-Effect Transistors
机译:
高压AlGaN / GaN和GaAs场效应晶体管的可靠性建模
作者:
R.J. Trew
;
Y. Liu
;
W. Kuang
;
G.L. Bilbro
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
high voltage FET reliability;
AlGaN/GaN HFET reliability;
HFET gate leakage;
nitride HFETs;
33.
Spin-orbit coupling in AlGaN/AlN/GaN heterostructures with a polarization induced two-dimensional electron gas
机译:
极化诱导的二维电子气在AlGaN / AlN / GaN异质结构中的自旋轨道耦合
作者:
C. Kurdak
;
H. Cheng
;
N. Biyikli
;
UE. Oezgur
;
H. Morkoc
;
V. I. Litvinov
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN heterostructures;
spin-orbit interaction;
weak antilocalization;
two-dimensional electron gas;
phase coherence time;
bulk inversion asymmetry;
structural inversion asymmetry;
rashba effect;
spintronics;
34.
AlN/GaN-superlattice structures for the fabrication of intersubband detectors in the telecom wavelength range
机译:
用于制造电信波长范围内子带间检测器的AlN / GaN超晶格结构
作者:
Daniel Hofstetter
;
Esther Baumann
;
Fabrizio R. Giorgetta
;
Manfred Maier
;
Fabien Guillot
;
Edith Bellet-Amalric
;
Eva Monroy
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
intersubband transitions;
GaN/AIN superlattices;
telecom wavelength;
high-frequency;
35.
Al_xIn_(1-x)N/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
机译:
Al_xIn_(1-x)N / GaN异质结构场效应晶体管
作者:
J. Xie
;
X. Ni
;
M. Wu
;
J. H. Leach
;
UE. OEzguer
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
AlInN;
AlN;
MOCVD;
HFET;
2DEG;
mobility;
36.
AlGaN/SiC heterojunction bipolar transistor
机译:
AlGaN / SiC异质结双极晶体管
作者:
Ya. I. Alivov
;
Q. Fan
;
X. Ni
;
S. Chevtchenko
;
I. B. Bhat
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
silicon carbide;
aluminum gallium nitride;
arrhenius plot;
heterojunction bipolar transistor;
37.
High power GaN LED chip with low thermal resistance
机译:
具有低热阻的高功率GaN LED芯片
作者:
Schang-jing Hon
;
Cheng Ta Kuo
;
T.P. Chen
;
M.H. Hsieh
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
high power LEDs;
CMP method;
38.
Defect and emission distributions in bulk GaN grown in polar and nonpolar directions: a comparative analysis
机译:
在极性和非极性方向上生长的块状GaN中的缺陷和发射分布:比较分析
作者:
T. Paskova
;
A. Hanser
;
E. Preble
;
K. Evans
;
R. Kroger
;
F. Tuomisto
;
R. Kersting
;
R. Alcorn
;
S. Ashley
;
C. Pagel
;
E. Valcheva
;
P.P. Paskov
;
B. Monemar
会议名称:
《》
|
2008年
关键词:
bulk GaN;
nonpolar orientations;
vacancies;
impurities;
dislocations;
stacking faults;
emission properties;
39.
High temperature performance measurement and analysis of GaN HEMTs
机译:
GaN HEMT的高温性能测量和分析
作者:
B. A. Polash
;
M.A. Huque
;
S.K. Islam
;
H. Huq
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN HEMT;
DC characterization;
intrinsic parameters;
high temperature;
numerical simulation;
40.
High efficient InGaN/GaN LEDs with double-sided textured surfaces and omni-directional mirror structure
机译:
具有双面纹理表面和全向镜面结构的高效InGaN / GaN LED
作者:
Dong-Sing Wuu
;
Shao-Hua Huang
;
Ray-Hua Horng
;
Chuang-Yu Hsieh
;
Kuo-Wei Yen
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
light-emitting diode (LED);
adhesive bonding;
laser lift-off (LLO);
omni-directional reflector (ODR);
41.
A thick GaN growth using GaN/Si(111) template by Hydride Vapor Phase Epitaxy(HVPE)
机译:
氢化物气相外延(HVPE)使用GaN / Si(111)模板进行的厚GaN生长
作者:
Kim Doo Soo
;
Lee Ho Jun
;
Kim Yong Jin
;
Jong Su Kim
;
Lee Dong Kun
;
Lee Bo Young
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
Free-standing;
MOCVD;
HVPE;
GaN/Si template;
melt back;
crack;
HRXRD;
42.
On Chip Surge Protection for GaN Power LEDs by ZnO Thin Film Varistor
机译:
ZnO薄膜压敏电阻对GaN大功率LED的片上浪涌保护
作者:
Liann-Be Chang
;
Yuan-Hsiao Chang
;
Yuan-Shun Chang
;
Ming-Jer Jeng
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
electrostatic discharge (ESD);
zinc oxide (ZnO);
varistor;
gallium nitride light emitting diodes (GaN LEDs);
43.
Optical properties of polar, nonpolar, and semipolar InGaN/GaN multiple quantum wells on sapphire
机译:
蓝宝石上极性,非极性和半极性InGaN / GaN多量子阱的光学特性
作者:
X. Ni
;
R. Shimada
;
J. H. Leach
;
J. Xie
;
UE. Oezguer
;
H. Morkoc
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
InGaN;
GaN;
nonpolar;
semipolar;
quantum wells;
photoluminescence;
44.
CHARACTERIZATION OF LOW COST ORGANIC PHOSPHOR FOR WHITE LIGHT-EMITTING DIODE
机译:
白光发光二极管中低成本有机磷的表征
作者:
Fuh-Shyang Juang
;
Ming-Hua Chang
;
Mark O. Liu
;
Wen-Ray Chen
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
organic phosphor;
white LED;
45.
Comparison of various gate dielectrics on the performance of AlGaN/GaN HFETs
机译:
各种栅极电介质对AlGaN / GaN HFET性能的比较
作者:
Qian Fan
;
Jacob H. Leach
;
Mo Wu
;
Bo Xiao
;
Xing Gu
;
Hadis Morkoc
;
Peter H. Handel
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
46.
Modification of the Anomalous V-shaped and S-shaped Temperature Dependent Photon Energy in Al_xGa_(1-x)N (0 < x ≤ 0.38) Nanoheterostructures Using a Nonbonding Laser Lift-off (NBLLO) Technique
机译:
使用非键合激光剥离(NBLLO)技术修饰Al_xGa_(1-x)N(0
作者:
Amal Elgawadi
;
Jerzy Krasinski
;
Gordon Gainer
;
Vladimir Dmitriev
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
nonbonding laser lift-off (NBLLO);
laser lift-off (LLO);
nanolayers;
nanoheterostructure;
GaN;
AlGaN;
strain;
photoluminescence (PL);
47.
Infrared reflectance of optical phonon modes in AlGaN epitaxial layers grown on sapphire substrates
机译:
蓝宝石衬底上生长的AlGaN外延层中光子模的红外反射率
作者:
Jun-Rong Chen
;
Tien-Chang Lu
;
Gen-Sheng Huang
;
Tsung-Shine Ko
;
Hao-Chung Kuo
;
Shing-Chung Wang
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
AlGaN;
sapphire;
infrared reflectance;
FTIR;
48.
InGaN MQW Green LEDs Using p-InGaN and p-InGaN/p-GaN Superlattices as p-Type Layers
机译:
使用p-InGaN和p-InGaN / p-GaN超晶格作为p型层的InGaN MQW绿色LED
作者:
Russell D. Dupuis
;
Jae B. Limb
;
Jianping Liu
;
Jae-Hyun Ryou
;
Clarissa Home
;
Dongwon Yoo
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
light emitting diodes;
InGaN/GaN multiple quantum wells;
p-type layers;
superlattices;
green LEDs;
49.
Investigation of charge trapping at the oxide/semiconductor interface for MBE-grown GaN films
机译:
MBE生长的GaN膜在氧化物/半导体界面处的电荷陷阱研究
作者:
J.C. Moore
;
M.A. Reshchikov
;
J.E. Ortiz
;
J. Xie
;
H. Morkoc
;
A.A. Baski
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
GaN;
SKPM;
CAFM;
charge trapping;
band-bending;
50.
Why InGaN laser-diode degradation is accompanied by the improvement of its thermal stability?
机译:
为什么InGaN激光二极管的退化伴随着其热稳定性的提高?
作者:
L. Marona
;
P. Wisniewski
;
M. Leszczynski
;
I. Grzegory
;
T. Suski
;
S. Porowski
;
R. Czernecki
;
A. Czerwinski
;
M. Pluska
;
J. Ratajczak
;
P. Perlin
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
laser diodes;
reliability;
degradation;
GaN;
InGaN;
quantum well;
light emission;
quantum efficiency;
light emitters;
degradation rate;
51.
Highly reliable and bright GaN vertical LED on metal alloy substrate using corrugated pyramid shaped surface technology
机译:
采用波纹金字塔形表面技术在金属合金衬底上的高可靠性和高亮度GaN垂直LED
作者:
Jiunn-Yi Chu
;
Chen-Fu Chu
;
Chao-Chen Cheng
;
Wen-Huan Liu
;
Hao-Chun Cheng
;
Feng-Hsu Fan
;
Jui-Kang Yen
;
Chuong Anh Tran
;
Trung Doan
会议名称:
《Conference on Gallium Nitride Materials and Devices; 20080121-24; San Jose,CA(US)》
|
2008年
关键词:
gallium nitride;
vertical light emitting diodes on metal alloyed substrate;
surface engineering;
意见反馈
回到顶部
回到首页