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第一章 绪论
§1.1 GaN材料简介
§1.2AlGaN/GaN异质结微波功率的优势
§1.3本文的研究背景与内容安排
第二章 GaN基异质结的相关基础研究
§2.1Ⅲ族氮化物材料的能带结构
§2.2AlxGa1-xN/GaN异质结的极化电荷
2.2.1 2DEG的密度
2.2.2 2DEG的迁移率
§2.3 AlxGa1-xN/GaN异质结2DEG的经典输运性质
§2.4 AlN阻挡层对AlGaN/GaN异质结性能的影响
§2.5本章小结
第三章 二维电子气系统的磁输运理论
§3.1 2DEG的经典输运理论
§3.2 2DEG的磁量子输运理论
3.2.1 二维电子气的朗道能级
3.2.2 量子Hall效应
§3.3 2DEG中的相干散射现象
第四章 AlGaN/AlN/GaN异质结构材料制备和磁输运测量
§4.1 AlGaN/AlN/GaN异质结构的制各
§4.2 AlGaN/AlN/GaN异质结构的表征
§4.3 Hall bar器件的制作
§4.4磁输运测试系统和测量方法
4.4.1 测试系统
4.4.2 测量方法
§4.5 本章小结
第五章 AlGaN/AlN/GaN异质结构SdH振荡研究
§5.1样品结构和实验
§5.2磁阻SdH振荡研究
§5.3 2DEG的有效质量
§5.4 2DEG的散射机制
§5.5温度为2K时的SdH振荡和量子霍尔平台
§5.6本章小结
第六章 结束语
致谢
参考文献
研究成果