机译:无序半导体薄膜晶体管中与偏置有关的亚阈值特性和界面状态
机译:从依赖于衬底偏置的亚阈值斜率提取短沟道MOSFET接口陷阱密度的新方法
机译:减少有机-有机界面处的陷阱密度,并降低有机薄膜晶体管中迁移率的栅极偏置依赖性
机译:背栅偏置和接口捕集密度对薄膜SOI-MOSFET亚阈值特性的影响
机译:薄膜硅光伏电池:薄膜沉积的表征和来自散射纳米粒子阵列的增强光阱分析。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:一种从基板偏压依赖性亚阈值中提取在短通道MOSFET中的接口陷阱密度的新方法