机译:从依赖于衬底偏置的亚阈值斜率提取短沟道MOSFET接口陷阱密度的新方法
机译:一种新的亚阈值斜率技术,用于提取完全耗尽的SOI MOSFET中的掩埋氧化物界面陷阱密度
机译:SOI nMOSFET亚阈值斜率中的过渡区和累积层效应及其对界面陷阱密度提取的影响
机译:硅注入栅SiO / sub 2 /的n-MOSFET通过电容/亚阈值/电荷泵方法测量的界面陷阱密度的比较
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:具有接近理想亚阈值斜率的GaN纳米线MOSFET
机译:错误到:在光学照射下,由MOSFET中的亚阈值电流提取的MOS系统中的接口状态的分布