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王芳芳; 曾传滨; 李晓静; 高林春; 罗家俊; 韩郑生;
中国科学院微电子研究所;
中国科学院大学;
中国科学院硅器件技术重点实验室;
直流电流电压方法; PDSOI器件; 总剂量效应; 背沟道; 界面态; 钴60伽马射线;
机译:顶栅石墨烯场效应晶体管的界面态密度提取
机译:氧化物/ III-V栅堆叠中界面态密度的提取
机译:一种通过电导技术提取存在频率色散的界面态密度的方法
机译:背栅偏置和界面陷阱密度对薄膜SOI-MOSFET亚阈值特性的影响
机译:多原子化学反应中的能量分配:量子态分解研究,涉及气相和气液界面中分子的高度放热原子提取反应。
机译:基于双栅脉冲光谱的瞬态子间隙态密度直接提取方法
机译:采用高压双极技术的背栅绝缘氧化物mOsFET,用于粘合氧化物/ sOI界面表征
机译:用电离辐射和Fowler-Nordheim应力生成氮化氧化物栅介质中的界面态
机译:用于减轻多栅极器件中的外部电阻和界面态密度的制造工艺
机译:具有低界面态密度的半导体器件及其制造方法
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