Dipartimento di Ingegneria Elettronica ed Ingegneria Informatica, Universita degli Studi di Salemo,Via Ponte Don Melillo 1, 84084 Fisciano (SA), Italy;
Fernuniversitaet Hagen, Haldener Str. 182, 58095 Hagen, Germany;
Institute of High Frequency and Semiconductor System Technologies, Section Semiconductor Devices, TU Berlin, Einsteinufer 19,10587 Berlin, Germany;
Dipartimento di Ingegneria Elettronica ed Ingegneria Informatica, Universita degli Studi di Salemo,Via Ponte Don Melillo 1, 84084 Fisciano (SA), Italy;
MOS; photosensitive; diode formation; oxide; impurities;
机译:稀土氧化物作为Ge基MOS器件的高k电介质:Pt / Gd_2O_3 / Ge电容器的电气研究
机译:碳化硅金属氧化物半导体电容器介电击穿过程中地毯状炸弹状凹坑的多重击穿模型
机译:碳化硅金属氧化物半导体电容器介电击穿形成凹面的机理
机译:超薄栅氧化物中介电击穿的结构依赖性及其与软击穿模式和器件故障的关系
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:具有纳米级分辨率和在线过程监控的超导氧化物上的电子设备无掩模X射线写入
机译:具有纳米级分辨率和在线过程监控的超导氧化物上的电子设备无掩模X射线写入
机译:用于电击穿的薄膜电容器的自动监测