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马玉涛; 李志坚; 刘理天;
清华大学微电子学研究所;
MOS器件; 多子带结构; 量子力学效应; 修正模型;
机译:多晶硅门控MOS器件的电容-电压模型,包括基于总半导体电荷修正的衬底量化效应
机译:包含量子力学效应的MOS电容器模型分析和参数提取
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si_(1-x)Ge_x MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:严格考虑量子力学效应的MOS结构阈值电压模型
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:包含量子力学效应的纳米级应变Si / Si1-xGex MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:使用包含鲍辛格效应的修正运动硬化模型表征钢。
机译:补油泵,例如非易失性闪存,具有带MOS器件的电荷泵结构,允许连接抽运和输入节点,并基于抽运电容器电压将电荷从抽运传输到输出节点
机译:防止浮体效应和自热效应的MOS器件结构及其制造方法
机译:在相同的半导体基板上制造半导体器件的方法,其中,将高击穿电压的MOS晶体管和低击穿电压的MOS晶体管制成,并以此制造半导体器件
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