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邹子英; 闵靖;
中国有色金属学会;
集成电路; 生产线; 硅片; 缺陷; 晶体加工; 硅片;
机译:新的SIC外延生长过程,高达100%BPD,在150mm热壁CVD反应器上进行TED缺陷转换
机译:消除A-1工艺中的驱虫涂层缺陷?让我们将100%无缺陷的产品发送到后工艺中吗?柯尼卡美能达工程有限公司“ Power Circle”
机译:关于在NaOH 35/100溶液中化学蚀刻(hk0)和(hhl)硅片的各向异性的一些研究。第二部分:3D蚀刻形状,分析以及与koh 56/100的比较
机译:新的SIC外延生长过程,高达100%BPD到150mm热壁CVD反应器上的TED缺陷转换
机译:集成电路制造工艺仿真技术研究
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:研究集成电路制造工艺对铁杂质对硅片污染的影响:论文摘要/ Krasitskaya Julia Aleksandrovna; BSU,半导体与纳米电子物理系,物理学院;科学的手。佩特利茨基
机译:对于低成本太阳能阵列项目的大面积硅片工艺,激光区域生长在RIBON-to-RIBBON(RTR)工艺硅片生长发展中
机译:铁硅片(100)的生产工艺[]-前线纹理
机译:用于在轮胎的轮胎生产过程中检测缺陷的方法,用于在轮胎的生产线上检测轮胎中的缺陷的装置,计算机程序。用于轮胎的生产的方法以及轮胎生产线。
机译:硅片硼局部掺杂工艺研究
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