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机译:关于在NaOH 35/100溶液中化学蚀刻(hk0)和(hhl)硅片的各向异性的一些研究。第二部分:3D蚀刻形状,分析以及与koh 56/100的比较
机译:关于在NaOH 35/100溶液中化学蚀刻(hk0)和(hhl)硅片的各向异性的一些研究。第一部分:二维蚀刻形状
机译:关于在35%的NaOH溶液中(h k 0)和(h hl)硅化学腐蚀的各向异性的一些研究。第二部分:3D蚀刻形状,与KOH的分析和比较56%
机译:在35%的NaOH溶液中对(hk0)和(hhl)硅板化学蚀刻的各向异性的一些研究。第一部分:2D蚀刻形状
机译:KOH水溶液中硅含量对> 100 <单晶硅中凸角蚀刻行为的影响
机译:具有理想氢终止作用的化学蚀刻新表面清洁技术:silcon(111)和硅(100)表面的表面化学和形态。
机译:通过金属辅助化学刻蚀的100纳米以下有序硅孔阵列
机译:关于化学蚀刻各向异性的研究 (Hķ0) 和(我) 硅片在NaOH 35%溶液中。第三部分:模拟器Tensosim数据库的确定和二维蚀刻形状的预测