epitaxy; chemical vapor deposition; basal plane dislocation;
机译:新的SIC外延生长过程,高达100%BPD,在150mm热壁CVD反应器上进行TED缺陷转换
机译:在7×100mm / 3×150mm水平热壁间歇反应器中进行SiC外延生长
机译:在热壁CVD反应器中使用二氯硅烷进行高生长速率的4H-SiC外延生长
机译:新的SIC外延生长过程,高达100%BPD到150mm热壁CVD反应器上的TED缺陷转换
机译:超音速分子束在Si(100)上外延生长β-SiC。
机译:化学气相沉积(CVD)中C面SiC和蓝宝石上的石墨碳外延生长
机译:使用二氯硅烷的高生长速率4H-siC外延生长 热壁CVD反应器