机译:在热壁CVD反应器中使用二氯硅烷进行高生长速率的4H-SiC外延生长
University of South Carolina, Department of Electrical Engineering, Columbia, SC 29208, USA;
University of South Carolina, Department of Electrical Engineering, Columbia, SC 29208, USA;
Naval Research Laboratory, Washington DC 20375, USA;
Naval Research Laboratory, Washington DC 20375, USA;
University of South Carolina, Department of Electrical Engineering, Columbia, SC 29208, USA;
A1. Doping; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials;
机译:使用水平热壁CVD反应器实现4H-SiC外延层的高生长速率(> 30μm/ h)
机译:在垂直热壁反应器中氯化物基CVD在4H-SiC外延生长期间消除硅液滴形成
机译:热壁反应器在150 Mm 4H-SiC外延生长过程中基底平面位错的滑行
机译:使用水平热壁CVD的4H-SiC高外延生长速率
机译:通过热壁外延进行高生长速率的碳化硅CVD。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:使用二氯硅烷的高生长速率4H-siC外延生长 热壁CVD反应器