6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征

摘要

在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征。结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶粒尺寸也增大。XRD测试结果表明:间隔法可以控制薄膜生长的择优取向。Raman光谱测试结果表明:采用间隔法且断源时间控制在30 s时,生长温度900℃,H2∶SiH4=400∶20 sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最小。