Heteroepitaxy; 3C-SiC; cubic SiC; HMDS; HCDS; APCVD;
机译:六甲基二硅烷[(CH_3)_6Si_2]的大气热壁CVD在Si衬底上外延生长3C-SiC
机译:Si_2(CH_3)_6 + Si_2CI_6 + C_3H_8 + H_2体系通过大气压热CVD法外延生长4H-SiC
机译:使用CVD生长的3C-SiC种子层通过VLS传输在硅衬底上外延生长3C-SiC
机译:大气热壁CVD在Si衬底上外延生长2英寸3C-SiC
机译:电子应用硅上外延3C-SiC薄膜的生长和表征。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:使用二氯硅烷的高生长速率4H-siC外延生长 热壁CVD反应器