水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

摘要

研究了水平热壁式CVD(Hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气氢气的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/m),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化S/Si比。获得低于7%(最好值为4.37%)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。