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【2h】

High Epitaxial Growth Rate of 4H-SiC using Horizontal Hot-Wall CVD

机译：水平热壁CVD法制备4H-siC的高外延生长速率

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R. L. Myers; Y. Shishkin; O. Kordina; I. Haselbarth; S. E. Saddow;
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年度 2015
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