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4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden
4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden
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1.
Electrical and Optical Study of 4H-SiC CVD Epitaxial Layers Irradiated with Swift Heavy Ions
机译:
快速重离子辐照的4H-SiC CVD外延层的电学和光学研究
作者:
E. Kalinina
;
G. Kholujanov
;
G. Onushkin
;
D. Davydov
;
A. Strelchuk
;
A. Zubrilov
;
A. Hallen
;
A. Konstantinov
;
V. Skuratov
;
J. Stano
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
epitaxial layer;
irradiation;
Kr Ion;
photoluminescence;
resistance;
silicon carbide;
2.
Effects of Initial Nitridation on the Characteristics of SiC-SiO_2 Interfaces
机译:
初始氮化对SiC-SiO_2界面特性的影响
作者:
K.-Y. Cheong
;
S. Dimitrijev
;
J. Han
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
nitrided gate oxide;
SiC-SiO_2 interface;
surface microroughness;
surface passivation;
3.
Effective Normal Field Dependence of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on the (1120) Face
机译:
(1120)面上4H-SiC MOSFET反向沟道迁移率的有效法向场相关性
作者:
Junji Senzaki
;
Kazutoshi Kqjima
;
Takaya Suzuki
;
Kenji Fukuda
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
4H-SiC(1120)face;
effective normal field;
inversion channel mobility;
MOSFETs;
4.
Growth at High Rates and Characterization of Bulk 3C-SiC Material
机译:
高速生长及块状3C-SiC材料的表征
作者:
Gabriel Ferro
;
Carole Balloud
;
Sandrine Juillaguet
;
Patrice Vicente
;
Jean Camassel
;
Yves Monteil
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
3C-SiC;
bulk;
high growth rate;
photoluminescence;
5.
Passivation Effect on Channel Recessed 4H-SiC MESFETs
机译:
钝化对沟道嵌入式4H-SiC MESFET的影响
作者:
Ho-Young Cha
;
Christopher I. Thomas
;
Goutam Koley
;
Lester F. Eastman
;
Michael G. Spencer
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
4H-SiC MESFET;
channel recess;
passivation;
6.
Pd-Based Ohmic Contacts to LPE 4H-SiC with Improved Thermal Stability
机译:
与LPE 4H-SiC的基于Pd的欧姆接触具有改善的热稳定性
作者:
L. Kassamakova-Kolaklieva
;
R. Kakanakov
;
V. Cimalla
;
N. Hristeva
;
G. Lepoeva
;
N. Kuznetsov
;
K. Zekentes
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
device reliability;
ohmic contacts;
surface morphology;
thermal stability;
7.
Photoluminescence and Thermally Stimulated Luminescence in Semi-Insulating SiC
机译:
半绝缘SiC中的光致发光和热激发发光
作者:
Yu.M. Suleimanov
;
S. Lulu
;
I. Tarasov
;
S. Ostapenko
;
V.D. Heydemann
;
M.D. Roth
;
O. Kordina
;
M.F. MacMillan
;
S.E. Saddow
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
luminescence;
semi-insulating SiC;
vanadium;
8.
p-Type 6H-SiC Films in the Creation of Triode Structures for Low Ionization Radiation
机译:
用于低电离辐射的三极管结构创建中的p型6H-SiC膜
作者:
A.M. Ivanov
;
N.B. Strokan
;
D.V. Davydov
;
N.S. Savkina
;
A.M. Strelchuk
;
A.A. Lebedev
;
R. Yakimova
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
low ionization radiation;
photocurrent;
signal amplification;
silicon carbide;
sublimation epitaxy;
triode structures;
X-ray;
9.
Stacking Fault Formation in Highly Doped 4H-SiC Epilayers during Annealing
机译:
退火过程中高掺杂4H-SiC外延层中的堆垛层错形成
作者:
Hun Jae Chung
;
Jin-Qiang Liu
;
Anne Henry
;
Marek Skowronski
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
electron microscopy;
stacking faults;
structural defects;
10.
RF Characteristics of Short-Channel SiC MESFETs
机译:
短通道SiC MESFET的射频特性
作者:
Hirotake Honda
;
Makoto Ogata
;
Hiroshi Sawazaki
;
Shuichi Ono
;
Manabu Arai
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
MESFETs;
microwave;
short-channel effect;
SiC;
11.
Characteristics of Planar Defects in Shallow Trenches Related to the Presence of Micropipes
机译:
与微管的存在有关的浅沟槽中平面缺陷的特征
作者:
N. Vouroutzis
;
M. Syvaejaervi
;
J. Stoemenos
;
R. Yakimova
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
extended defects;
micropipes;
12.
Atomic Structure of Si-Rich 3C-SiC(001)-(3x2): a Photoelectron Diffraction Study
机译:
富Si 3C-SiC(001)-(3x2)的原子结构:光电子衍射研究
作者:
A. Tejeda
;
E.G. Michel
;
D. Dunham
;
P. Soukiassian
;
J.D. Denlinger
;
E. Rotenberg
;
Z.D. Hurych
;
B. Tonner
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
(3x2);
ALSD;
nanowire;
PED;
PhD;
photoelectron diffraction;
SiC;
silicon carbide;
si-rich;
structure determination;
TAADM;
13.
Characteristics of Ni Schottky Contacts on Compensated 4H-SiC Layers
机译:
补偿4H-SiC层上Ni肖特基接触的特性
作者:
L. Kasamakova-Kolaklieva
;
R. Yakimova
;
R. Kakanakov
;
A. Kakanakova-Georgieva
;
M. Syvaejaervi
;
E. Janzen
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
epilayer compensation;
recombination;
schottky contacts;
thermionic emission;
14.
A Comparison of MESFETs on Different 4H-Silicon Carbide Semi-Insulating Substrates
机译:
不同4H碳化硅半绝缘基板上MESFET的比较
作者:
Joakim Eriksson
;
Niklas Rorsman
;
Herbert Zirath
;
Anne Henry
;
Bjoern Magnusson
;
Alex Ellison
;
Erik Janzen
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
MESFET;
semi-insulating substrate;
15.
4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method for High Power Applications
机译:
LPE方法生长的4H-SiC pn二极管,用于大功率应用
作者:
N. Kuznetsov
;
D. Bauman
;
A. Gavrilin
;
L. Kassamakova
;
R. Kakanakov
;
G. Sarov
;
T. Cholakova
;
K. Zekentes
;
V. Dmitriev
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
deep traps;
degradation traps;
electrical characteristics;
liquid-phase epitaxy;
pn diode;
silicon carbide;
16.
Annealing of a Vacancy-Type Defect and Diffusion of Implanted Boron in 6H-SiC
机译:
空位型缺陷的退火和注入的硼在6H-SiC中的扩散
作者:
T. Ohshima
;
A. Uedono
;
O. Eryu
;
K.K. Lee
;
K. Abe
;
H. Itoh
;
K. Nakashima
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
B diffusion;
B-implantation;
Co-implantation;
vacancy-type defects;
17.
Angle-Resolved Studies of SiO_2/SiC Samples
机译:
SiO_2 / SiC样品的角分辨研究
作者:
L.I. Johansson
;
C. Virojanadara
;
Th. Eickhoff
;
W. Drube
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
angle-resolved photoemission studies;
oxidation states;
SiO_2 shift, SiO_2/SiC;
18.
A Study of the Shallow Electron Traps at the 4H-SiC/SiO_2 Interface
机译:
4H-SiC / SiO_2界面浅电子陷阱的研究
作者:
H.OE. Olafsson
;
E.OE. Sveinbjoernsson
;
T.E. Rudenko
;
V.I. Kilchytska
;
I.P. Tyagulski
;
I.N. Osiyuk
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
interface states;
MOS;
silicon dioxide;
thermally stimulated currents;
19.
Activation Study of Implanted N~+ in 6H-SiC by Scanning Capacitance Microscopy
机译:
扫描电容显微镜对6H-SiC中注入N〜+的活化研究
作者:
V. Raineri
;
L. Calcagno
;
F. Giannazzo
;
D. Goghero
;
F. Musumeci
;
F. Roccaforte
;
F. La Via
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
dopant activation;
ion implantation;
scanning capacitance microscopy;
20.
4H-SiC Lateral RESURF MOSFET with a Buried Channel Structure
机译:
具有埋沟道结构的4H-SiC横向RESURF MOSFET
作者:
S. Suzuki
;
S. Harada
;
T. Yatsuo
;
R. Kosugi
;
J. Senzaki
;
K. Fukuda
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
blocking voltage;
buried channel;
MOSFET;
on resistance;
RESURf;
21.
Properties of Nitrogen-Doped 4H-SiC Single Crystals Grown by Physical Vapour Transport
机译:
物理气相传输生长的氮掺杂4H-SiC单晶的性能
作者:
H.-J. Rost
;
K. Irmscher
;
J. Doerschel
;
D. Siche
;
D. Schulz
;
J. Wollweber
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
electrical properties;
nitrogen doping;
photoluminescence;
SiC bulk growth;
stacking faults;
22.
Properties of Different Stacking Faults that Cause Degradation in SiC PiN Diodes
机译:
导致SiC PiN二极管退化的不同堆叠故障的特性
作者:
H. Jacobson
;
J.P. Bergman
;
C. Hallin
;
T. Tuomi
;
E. Janzen
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
4H-SiC;
degradation;
diode;
stacking fault;
synchrotron topography;
23.
Measurement of Hall Mobility in 4H-SiC for Improvement of the Accuracy of the Mobility Model in Device Simulation
机译:
测量4H-SiC中的霍尔迁移率以提高器件仿真中迁移模型的精度
作者:
T. Hatakeyama
;
T. Watanabe
;
M. Kushibe
;
K. Kojima
;
S. Imai
;
T. Suzuki
;
T. Shinohe
;
T. Tanaka
;
K. Arai
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
4H-SiC;
anisotropy;
carrier concentration;
device simulator;
mobility;
mobility model;
24.
Microstructure of GaN Layers Grown onto (001) and (111) GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
机译:
(001)和(111)GaAs衬底上通过分子束外延生长的GaN层的微观结构
作者:
L. Toth
;
B. Pecz
;
Zs. Czigany
;
K. Amimer
;
A. Georgakilas
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
GaN;
molecular beam epitaxy;
transmission electron microscopy;
25.
Modeling of Lattice Heat Conductivity and Thermopower in SiC Considering the Four-Phonon Scattering Process
机译:
考虑四声子散射过程的SiC晶格热导率和热功率建模
作者:
Enn Velmre
;
Andres Udal
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
4-phonon process mechanism;
heat conductivity model;
phonon drag effect;
seebeck coefficient model;
silicon carbide;
26.
MISiCFET Chemical Sensors for Applications in Exhaust Gases and Flue Gases
机译:
MISiCFET化学传感器,用于废气和烟气中
作者:
H. Wingbrant
;
L. Uneus
;
M. Andersson
;
J. Cerda
;
S. Savage
;
H. Svenningstorp
;
P. Salomonsson
;
P. Ljung
;
M. Mattsson
;
J.H. Visser
;
D. Kubinski
;
R. Soltis
;
S.G. Ejakov
;
D. Moldin
;
M. Loefdahl
;
M. Einehag
;
M. Persson
;
A.Lloyd Spetz
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
ammonia;
catalytic metals;
combustion;
exhaust gases;
field effect transistor;
flue gases;
gas sensor;
high temperature;
SCR;
27.
New Photoluminescence Features in 4H-SiC Induced by Hydrogenation
机译:
氢化诱导4H-SiC的新发光特性
作者:
Yaroslav Koshka
;
Michael S. Mazzola
;
Jeffery L. Wyatt
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
acceptors;
aluminum;
boron;
hydrogen;
passivation;
photoluminescence;
28.
Modelling of Radiation Response of p-Channel SiC MOSFETs
机译:
p沟道SiC MOSFET辐射响应的建模
作者:
Kin Kiong Lee
;
Takeshi Ohshima
;
Hisayoshi Itoh
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
gamma-ray irradiation;
interface traps;
mobility degradation;
oxide-trapped charge;
29.
Nitrogen Delta Doping in 4H-SiC Epilayers
机译:
4H-SiC外延层中的氮增量掺杂
作者:
A. Henry
;
L. Storasta
;
E. Janzen
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
CVD;
delta-doping;
growth rate;
30.
Nitrogen-Vacancy Complexes in SiC ― Final Annealing Products of the Silicon Vacancy?
机译:
SiC中的氮空位络合物-硅空位的最终退火产物?
作者:
U. Gerstmann
;
E. Rauls
;
Th. Frauenheim
;
H. Overhof
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
annealing;
diamond;
nitrogen;
passivation;
SiC;
vacancies;
31.
NO Gas Detection at High Temperature Using Thin-Pt 4H-SiC and 6H-SiC Schottky Diodes
机译:
使用薄Pt 4H-SiC和6H-SiC肖特基二极管检测高温下的NO气体
作者:
Shabbir A. Khan
;
Elder A. de Vasconcelos
;
H. Uchida
;
T. Katsube
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
4H-SiC;
6H-SiC;
catalytic gate devices;
gas sensors;
high temperature devices;
schottky diodes;
32.
Novel Buried Field Rings Edge Termination for 4H-SiC High-Voltage Devices
机译:
用于4H-SiC高压器件的新型掩埋场环边缘端接
作者:
A. Mihaila
;
F. Udrea
;
P. Godignon
;
T. Trajkovic
;
G. Brezeanu
;
J. Rebollo
;
J. Millan
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
buried field rings;
edge termination;
high voltage;
JFET;
33.
OBIC Measurements of 1.3kV 6H-SiC Bipolar Diodes Protected by Junction Termination Extension
机译:
结终止扩展保护的1.3kV 6H-SiC双极二极管的OBIC测量
作者:
S.R. Wang
;
C. Raynaud
;
D. Planson
;
M. Lazar
;
J.P. Chante
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
6H-SiC;
bipolar diodes;
breakdown voltage;
JTE;
OBIC;
34.
Performance of Silicon Carbide Microwave MESFETs Using a Thin p-Doped Buffer Layer
机译:
使用薄p掺杂缓冲层的碳化硅微波MESFET的性能
作者:
Joakim Eriksson
;
Niklas Rorsman
;
Herbert Zirath
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
|
2002年
关键词:
buffer layer;
MESFET;
35.
EPR Study of Electron Irradiation-Induced Defects in Semi-Insulating SiC:V
机译:
EPR研究半绝缘SiC:V中电子辐照引起的缺陷
作者:
H.J. von Bardeleben
;
J.L. Cantin
;
S.A. Reshanov
;
V.P. Rastegaev
会议名称:
《》
|
2002年
关键词:
defects;
EPR;
semi-insulating SiC;
36.
Electro-Thermal Simulations and Measurement of Silicon Carbide Bipolar Transistors
机译:
碳化硅双极晶体管的电热仿真和测量
作者:
W. Liu
;
E. Danielsson
;
C.-M. Zetterling
;
M. Oestling
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
bipolar transistor;
electro-thermal simulation;
junction temperature;
37.
Epitaxial Growth of 6H-SiC by a Vapor Liquid Solid Method
机译:
气液固相法外延生长6H-SiC
作者:
P. Ferret
;
A. Leray
;
G. Feuillet
;
P. Lyan
;
C. Pudda
;
T. Billon
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
6H-SiC;
liquid phase epitaxy;
vapor liquid solid mechanism;
38.
EPR Studies of Interface Defects in n-Type 6H-SiC/SiO_2 Using Porous SiC
机译:
利用多孔SiC对n型6H-SiC / SiO_2中的界面缺陷进行EPR研究
作者:
H.J. von Bardeleben
;
J.L. Cantin
;
M. Mynbaeva
;
S.E. Saddow
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
SiC;
SiC/SiO_2 interface defects;
39.
Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation Sandwich Method
机译:
升华夹心法生长AlN块状晶体
作者:
E.N. Mokhov
;
A.D. Roenkov
;
Yu.A. Vodakov
;
S.Yu. Karpov
;
M.S. Ramm
;
A.S. Segal
;
Yu.A. Makarov
;
H. Helava
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
AlN;
bulk crystals;
sublimation growth;
40.
Growth of Phosphorus-Doped 6H-SiC Single Crystals by the Modified Lely Method
机译:
改进的Lely法生长掺磷6H-SiC单晶
作者:
K. Semmelroth
;
F. Schmid
;
D. Karg
;
G. Pensl
;
M. Maier
;
S. Greulich-Weber
;
J.-M. Spaeth
会议名称:
《4th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002); Sep 2-5, 2002; Linkoeping, Sweden》
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2002年
关键词:
high n-type conductivity;
low bulk resistance;
modified lely method;
phosphorus donors;
physical vapor transport;
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