一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种提高MOCVD生长VCSEL外延膜厚均匀性的方法，属于半导体材料生长领域，该方法包括：在Ⅴ/Ⅲ比非常高的情况下，当MOCVD生长的VCSEL外圈膜厚大于内圈膜厚时，通过增大流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔载气流量，使得内圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高内圈生长速率。当内圈膜厚大于外圈膜厚时，通过减小流经MOCVD反应腔内喷淋头的第三进气孔的载气流量，使得外圈的Ⅲ族源浓度提高，从而提高外圈生长速率，通过本发明提供方法，可以解决外延片内外圈膜厚不均匀问题，提升外延片良率。