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SOI等多层结构材料智能剥离制备技术

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摘要

中等剂量的氢离子注入硅片后,经恰当的热处理,可形成埋层微空腔层,并进而使硅膜剥离.结合低温键合工艺,可使一薄层的硅膜转移到另一衬底上形成多层结构材料.利用这种智能剥离技术成功地制备了高质量的SOI和SOM材料.

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来源
《第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2001年|112-115|共4页
会议地点成都
作者
竺士炀; 黄宜平; 鲍敏杭;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
SOI; 多层结构材料; 剥离; 质量表征; 硅片键合质量;

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