多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成

摘要

本研究では、多層SOI基板の作製を目的として、Si/Si{sub}0.7Ge{sub}0.3/Si/Si{sub}0.7Ge{sub}0.3/Si(100)多層構造において、フッ硝酸によるSiGe層の横方向選択エッチングに関する検討を行った。 p型Si(100)基板上にSi(70nm)/Si{sub}0.7Ge{sub}0.3(15nm)/Si(70nm)/Si{sub}0.7Ge{sub}0.3(15 nm)/Si(150nm)多層構造をCVD法によりエピタキシャル成長した後、ステッパによるパターニング及びドライエッチングによるトレンチ形成を行った。 その後、フッ硝酸によりSiGe層の選択エッチングを行った結果、下層のSiGe層に対して上層のSiGe層のエッチングレートが遅いことが分かった。