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黄伟其; 蔡绍洪; 龙超云; 刘世荣;
贵州教育学院物理系;
贵州大学物理系;
中科院地化所电镜室;
SiGe合金氧化层; 纳米结构; 纳米团簇; 纳米层; 硅锗合金薄膜; 光电特性; 硅锗半导体材料;
机译:铝硅合金的结构对微弧氧化中氧化层形成过程和氧化层特性的影响
机译:铝硅合金结构对微弧氧化过程中氧化层形成过程和氧化层特性的影响
机译:带有薄氧化层的绝缘硅衬底上的发光SiGe异质结构的生长
机译:惰性背景气体中脉冲激光烧蚀制备的纳米结构SiGe合金的结晶度和发光性能
机译:用于集成中红外光子的非平衡Sigesn组IV异质结构和纳米线
机译:纳米断层扫描技术在坑式Si(001)衬底上生长的SiGe岛中的合金化和应变松弛
机译:惰性背景气体中脉冲激光烧蚀制备的纳米结构SiGe合金的结晶性和发光性能标题>
机译:si和siGe合金的气源分子束外延中的表面过程(Gas Bron moleculaire Bundel Epitaxie van si en siGe Legeringen中的Oppervlakte processen)
机译:用于生产其表面配备有氧化层的纳米级多孔金属或合金的方法,包括在氧化溶液或电解质中电化学氧化初始合金
机译:核反应堆燃料元件组件包括带有氧化层的锆合金,该氧化层在无氢气氛中通过氧化在组件表面形成
机译:通过自对准的SI至SIGE转换过程在多栅极纳米级晶体管中引入单轴应变的方法以及由此形成的结构
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