O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析

摘要

结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．