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张苗; 林成鲁; 陈立凡; 王鲁闽; K.Gutjahr; U.M.Gosele;
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室;
美国新墨西哥大学地球与行星科学系电子显微镜实验室;
德国马普微结构物理研究所;
离子注入; 智能剥离; SOI; 半导体硅膜材料;
机译:辐射缺陷退火后,SOI结构介电层中注入的锗的异常分布
机译:异常分布德国,SOI结构的介电层中注入AFTER辐射缺陷退火
机译:绝缘体上硅(SOI)中注入的砷的电激活
机译:卤素灯退火硅中注入的氧和氮的行为
机译:感应加热的铁磁薄膜对多晶硅微结构的局部退火。
机译:聚二甲基硅氧烷光滑和通道微结构对结缔组织祖细胞行为的分析
机译:硅中注入的Tm和Er的晶格位置和损伤退火
机译:脉冲激光退火后硅中注入as和sb的晶格位置
机译:使用氢离子剥离技术在绝缘体上形成阻挡层硅的方法-涉及在特定温度下处理硅衬底的SOI阻挡层,绝缘膜和支撑板,从而不会引起氧沉淀
机译:如何控制目录中注册的智能设备的行为
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