硅中注H＋气泡层的退火行为——气泡释放与表层剥离

摘要

室温下将能量为１４０ｋｅＶ，剂量为５×１０＾１６／ｃｍ＾２的Ｈ＾＋注入到硅单晶中，在硅有层下形成了气泡层，采用背散射与沟道技术，热波分析技术以及金相显微镜等分析测试手段，对气泡层的退火行为进行了研究。结果表明退火过程中存在一个临界温度，高于监界温度退火，样品表面会形成砂眼或发生薄层剥离现象，而且剥离块密度随退火温度的升高而增加；而在临界温度以下，气泡层对表层硅的单晶质量没有影响。热波测量的结果表明