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多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底

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本发明涉及多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底，所述多层SOI衬底的制造方法的特征在于，包括：(a)准备包括单晶硅衬底、形成于单晶硅衬底上的氧化层、形成于氧化层上多个第1绝缘图案及第1单晶硅外延层的SOI衬底的步骤；(b)在SOI衬底上形成绝缘层的步骤；(c)在绝缘层上形成多个第2绝缘图案及第2单晶硅外延层的步骤。

著录项

公开/公告号CN113345833A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-03

原文格式PDF
申请/专利权人韩商则舒穆公司;
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申请/专利号CN202011579074.7
发明设计人朴振源;
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申请日2020-12-28
分类号H01L21/762(20060101);
代理机构11327 北京鸿元知识产权代理有限公司;
代理人姜虎;陈英俊
地址韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 12:25:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-07-22

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/762 专利申请号:2020115790747 登记生效日:20220711 变更事项:申请人变更前权利人:韩商则舒穆公司变更后权利人:晓山公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道

专利申请权、专利权的转移

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