SOI衬底和n+衬底上SiGe HBT的研制

摘要

分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2 μm的工艺制备出SiGe/Si HBT(Heterostructure Bipolar Transistor).使用晶体管图示仪测量晶体管的特性.性能测试表明,在SOI衬底上获得了直流增益β大于300的SiGe HBT,但SOI衬底上的SiGe HBT表现出较严重的自热效应.此外,使用Al电极制备的HBT具有大于0.3 V的开启电压,而使用TiAu电极的HBT开启电压远小于该值.对不同衬底上研制的不同电极的SiGe HBT的直流特性进行了比较,并对产生不同特性的原因进行了分析.