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谢永桂;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
晶体管; 电气特性; 制造工艺; 界面态控制;
机译:InAlAs的氧化及其在InAlAs / InGaAs金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管栅绝缘子中的应用
机译:使用氧化的InAlAs层作为栅绝缘膜的耗尽/增强型InAlAs / InGaAs MOS HEMT的原型
机译:由OMVPE以PECVD沉积的SiO / sub 2 /作为栅绝缘体生长的未掺杂InP / InGaAs异质结构绝缘栅FET
机译:InAlAs上的液相氧化及其与InP衬底晶格匹配的InAlAs / InGaAs HEMT栅绝缘体的应用
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:单片Inp基Inalas / InGaasp / InGaas三结太阳能电池的首次演示
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较
机译:InP衬底上的InAlAs / InGaAs两周期超晶格
机译:与InP匹配的InAlAs和InGaAs晶格的干法刻蚀
机译:包括InP InAlAs InGaAs及其合金的半导体化合物的反应离子刻蚀
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