酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディプレッション／エンハンスメント型InAlAs/InGaAs MOSHEMTの試作

摘要

InAlAsをオゾンで酸化すると、短時間の酸化はInAlAs表面のフォトルミネセンス強度を急激に低下させる。 しかし、長時間InAlAsを酸化することで、その強度は回復する。また、InAlAsの窒化ではその処理時間が長くなるに従って、徐々にフォトルミネセンス強度が低下する。 さらに、GaAsの場合とは異なって、InAlAsを酸化後、窒化処理を施してもフォトルミネセンス強度は回復しないことが分かった。これらの結果を基に、オゾンによる酸化を用いてゲート絶縁膜を形成し、InAlAs／InGaAs－MOSHEMTの試作を行った。 電流電圧特性にヒステリシスが見られるが、相互コンダクタンス200mS／mmのものが得られた。