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袁璟;
HEMT; 集成电路; 光化学; 干法腐蚀; 磷化铟;
机译:使用光化学选择性干式凹槽蚀刻在3英寸InP衬底上高度均匀的N-InAlAs / InGaAs HEMT
机译:高性能全选择性双凹槽InAlAs / InGaAs / InP HEMT
机译:采用双凹槽栅极工艺的高击穿电压InAlAs / InGaAs / InP HEMT
机译:使用低能量高密度SiCl / sub 4 /等离子体(ICP)的InGaAs / InAlAs / InP HEMT类结构的干法蚀刻凹槽
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”
机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。
机译:使用关键成分分级技术在InP衬底上沉积InGaAs外延层
机译:InP衬底上的InAlAs / InGaAs两周期超晶格
机译:在掺有缓冲层的INP硅衬底上的INGAAS FINFET
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