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Indium Phosphide & Related Materials, 2008 International Conference on
Indium Phosphide & Related Materials, 2008 International Conference on
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1.
Surface Fermi level in GaAsSb alloys grown by MBE on Inp substrates
机译:
MBE在Inp衬底上生长的GaAsSb合金的表面费米能级
作者:
Chouaib Houssam
;
Rudno-Rudzinski Wojciech
;
Apostoluk Aleksandra
;
Bru-Chevallier Catherine
;
Lijadi Melania
;
Bove Phillippe
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAsSb;
Photoreflectance;
Surface Fermi level;
2.
Multilayer 1.4 μm InAs quantum dots with thin spacer using GaNAs strain compensation layer
机译:
使用GaNAs应变补偿层的具有薄间隔层的1.4μmInAs量子点多层
作者:
Suzuki R.
;
Miyamoto T.
;
Sengoku T.
;
Koyama F.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAs;
GaInNAs;
Quantum dot;
VCSEL;
component;
3.
Advanced HBT microelectronics at Northrop Grumman Space Technology
机译:
诺斯罗普·格鲁曼航天技术公司的高级HBT微电子学
作者:
Gutierrez-Aitken A.
;
Monier C.
;
Chang P.
;
Scott D.
;
Sato K.
;
Kaneshiro E.
;
Oyama B.
;
Chan B.
;
Kunkee E.
;
Loi K.
;
Sawdai D.
;
Cavus A.
;
Oki A.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
HBTs;
III–V semiconductors;
InP;
high-speed microelectronics;
4.
High performance InP/InGaAs strained quantum well interband photodiodes for nir resonant photodetection
机译:
用于Nir共振光电检测的高性能InP / InGaAs应变量子阱带间光电二极管
作者:
Garrigues M.
;
Gil-Sobraques R.
;
Leclercq J-L.
;
Parillaud O.
;
Decobert J.
;
Achouche M.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InGaAs;
RCE;
near infrared resonant cavity;
photodetector;
quantum well;
tunable;
5.
Non-silicon MOSFETs for mainstream CMOS?
机译:
用于主流CMOS的非硅MOSFET?
作者:
Passlack Matthias
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
6.
Semiconductor nanowires as an approach towards electronic and photonic devices
机译:
半导体纳米线作为电子和光子设备的一种方法
作者:
Samuelson Lars
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
7.
III–V metal-oxide-semiconductor technology
机译:
III–V类金属氧化物半导体技术
作者:
Passlack Matthias
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
8.
Complicated effects of nitrogen on the structural and optical properties of InAs(N)/GaAs quantum dots
机译:
氮对InAs(N)/ GaAs量子点的结构和光学性质的复杂影响
作者:
Ma B. S.
;
Falth J. F.
;
Fan W. J.
;
Yoon S. F.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InAsN;
photoluminescence;
quantum dots;
quantum size effect;
9.
Phototransistors based on InP/GaAsSb/InGaAs type-II heterostructures
机译:
基于InP / GaAsSb / InGaAs II型异质结构的光电晶体管
作者:
Ahn H. S.
;
Park M. S.
;
Jang J. H.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAsSb;
photodetection;
phototransistors;
type-II heterostructures;
10.
1550nm AlGaInAs DFB laser with over 20 GHz electro-optical bandwidth and below −150 dB/Hz RIN and receptor for Ku band analog microwave links
机译:
1550nm AlGaInAs DFB激光器,具有超过20 GHz的电光带宽和低于−150 dB / Hz的RIN和Ku波段模拟微波链路的接收器
作者:
Burie J.-R.
;
Glastre G.
;
Starck C.
;
Beuchet G.
;
Ragot L.
;
Fabre S.
;
Mimoun M.
;
Thebault M.
;
Ligat B.
;
Ratel P.
;
Minot M.
;
Loon M.
;
Fie J.-P.
;
Laruelle F.
;
van Dijk F.
;
Decobert J.
;
Parillaud O.
;
Enard A.
;
Achouche M.
;
Gentner J.-L.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
1550nm;
20GHz;
DFB lasers;
PIN receptor;
analog transmission;
11.
Experimental study on static dielectric constant of GaInNAs
机译:
GaInNAs静态介电常数的实验研究
作者:
Uchiyama M.
;
Kondow M.
;
Wu S.D.
;
Momose H.
;
Morifuji M.
;
Ikari T.
;
Fukushima S.
;
Fukuyama A.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaInNAs;
exciton binding energy;
static dielectric constant;
12.
Heterogeneous integration of III–V optoelectronic devices on silicon
机译:
III–V光电器件在硅上的异构集成
作者:
Van Thourhout Dries
;
Roelkens Gunther
;
Brouckaert Joost
;
Komorowska Katarzyna
;
Liu Liu
;
Baets Roel
;
Notzel Richard
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Silicon nanophotonics;
detectors;
heterogeneous integration;
lasers;
13.
DC—40-GHz SP4T switch IC using high-breakdown-voltage InGaAs/InP composite-channel HEMTs with an InAlP etch stopper
机译:
使用高击穿电压InGaAs / InP复合通道HEMT和InAlP蚀刻停止器的DC—40 GHz SP4T开关IC
作者:
Kamitsuna Hideki
;
Sugiyama Hiroki
;
Toshihiko Kosugi
;
Haruki Yokoyama
;
Koichi Murata
;
Yasuro Yamane
;
Takatomo Enoki
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InAlP etch stopper;
InP-based HEMT;
composite channel;
power-handling capability;
switch;
wideband;
14.
Continuous wave InGaAsP/InP Fabry-Perot lasers on silicon
机译:
硅上的连续波InGaAsP / InP法布里-珀罗激光器
作者:
Dupont T.
;
Grenouillet L.
;
Philippe P.
;
Perrin M.
;
Gilet P.
;
Bakir B. Ben
;
Fedeli J.M.
;
Grosse P.
;
Di Cioccio L.
;
Chelnokov A.
;
Lelarge F.
;
Pommereau F.
;
Duan G.H.
;
Gentner J.L.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Semiconductor lasers;
heterogeneous integration;
silicon photonics;
15.
Investigation on high catalytic activity mechanism of organopalladium catalyst on S-terminated GaAs(001)-(2×6) surface
机译:
S端接的GaAs(001)-(2×6)表面有机钯催化剂高催化活性机理的研究
作者:
Konishi T.
;
Tojo T.
;
Ishikawa T.
;
Tsukamoto S.
;
Bell G.R.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Palladium acetate;
RHEED;
STM;
gallium arsenide;
molecular beam epixtaxy;
organometallic catalyst;
sulphur termination;
16.
Ultra wide temperature operation of DFB lasers
机译:
DFB激光器的超宽温度操作
作者:
Chen T.R.
;
Hsin W.
;
Chen S.B.
;
Chen P.
;
Erlig H.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
1310nm;
1490nm;
DFB;
extended temperature;
laser diodes;
lasers;
17.
Twin generation in zinc-blende type III–V compound semiconductors: New insights from an InP case study
机译:
闪锌矿III-V型复合半导体中的双代产品:InP案例研究的新见解
作者:
Neubert M.
;
Kwasniewski A.
;
Fornari R.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Czochralski;
III–V;
InP;
compound semiconductors;
twin formation;
18.
Electron effective mass determined from experimental electron eigen-energies in InGaAs/InAlas multi-quantum wells
机译:
由InGaAs / InAlas多量子阱中的实验电子本征能确定的电子有效质量
作者:
Tanaka K.
;
Kotera N.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Electron effective mass;
MQWs;
eigen-energy;
nonparabolicity;
19.
InAs quantum dot evolution observed by in-situ scanning tunneling microscopy during molecular beam epitaxy growth
机译:
在分子束外延生长过程中通过原位扫描隧道显微镜观察到的InAs量子点演化
作者:
Tsukamoto Shiro
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAs;
InAs;
Quantum Dots;
in-situ;
molecular beam epixtaxy;
scanning tunnelling microscope;
20.
Modifying the improved light-output intensity of AlGaInP-based LEDs by nanoporous alimina
机译:
通过纳米多孔alimina修改基于AlGaInP的LED的改进的光输出强度
作者:
Chien-Chun Wang
;
Chien-Chih Liu
;
Kwok-Keung Chong
;
Chen-I Hung
;
Yeong-Her Wang
;
Mau-Phon Houng
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
light-emitting diodes;
nanoporous alumina;
21.
Studies on TlInGaAsN double quantum well structures
机译:
TlInGaAsN双量子阱结构的研究
作者:
Krishnamurthy D.
;
Ishimaru M.
;
Ozasa M.
;
Tanaka Y.
;
Hasegawa S.
;
Hirotsu Y.
;
Asahi H.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
DQW;
HRXRD;
LED;
Reciprocal space mapping;
SIMS;
Temperature-insensitive laser diodes;
TlInGaAsN;
22.
Conception and fabrication of InAs-based hot electron transistor
机译:
InAs基热电子晶体管的概念与制造
作者:
Daoud Thibaut
;
Boissier Guilhem
;
Devenson Jan
;
Sabatini Giulio
;
Varani Luca
;
Baranov Alexei
;
Teissier Roland
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
HBT;
InAs;
high-frequency;
hot electron;
23.
Performance comparison of InP and AlGaN/GaN Schottky diode hydrogen sensors
机译:
InP和AlGaN / GaN肖特基二极管氢传感器的性能比较
作者:
Akazawa Masamichi
;
Hasegawa Hideki
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
AlGaN;
In;
Schottky diod;
hydrogen sensor;
24.
Impact of V/III ratio, CBr
4
and AsH
3
concentrations on the MOVPE growth of GaAsSb for InP DHBT applications
机译:
V / III比,CBr
4 inf>和AsH
3 inf>浓度对InP DHBT应用中GaAsSb MOVPE生长的影响
作者:
Ostinelli O.
;
Liu H.G.
;
Zeng Y.P.
;
Bolognesi C.R.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
CBrinf4/inf;
GaAsSb;
Type-II DHBTs;
V/III ratio;
alloy composition;
gas phase reactions;
25.
Room temperature photoreflectance study of InGaAs/AlAs quantum wells
机译:
InGaAs / AlAs量子阱的室温光反射研究
作者:
Mozume T.
;
Gozu S.
;
Inada T.
;
Yoshimi A.
;
Susaki W.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InGaAs/AlAsSb;
photoreflectance;
quantum wells;
26.
Simultaneous achievement of high-speed and low-noise performance of pseudomorphic InGaAs/InAlAs HEMTs
机译:
同时实现拟态InGaAs / InAlAs HEMT的高速和低噪声性能
作者:
Watanabe Issei
;
Endoh Akira
;
Mimura Takashi
;
Matsui Toshiaki
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InAlAs;
InGaAs;
InP;
current gain cutoff frequency (finfT/inf);
high electron mobility transistor (HEMT);
maximum oscillation frequency (finfmax/inf);
minimum noise figure (NFinfmin/inf);
27.
Dark current mechanisms in bulk GaInNAs photodiodes
机译:
GaInNAs光电二极管中的暗电流机制
作者:
Soong W. M.
;
Ng J. S.
;
Steer M. J.
;
Hopkinson M.
;
David J. P. R.
;
Chamings J.
;
Sweeney S. J.
;
Adams A. R.
;
Allam J.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAs;
GaInNAs;
photodiode;
28.
The effect of gate metals on manufacturability of 0.1 μm metamorphic AlSb/InAs HEMTs for ultralow-power applications
机译:
栅极金属对超低功耗应用中0.1μm变质AlSb / InAs HEMT的可制造性的影响
作者:
Chou Y. C.
;
Lee L. J.
;
Yang J. M.
;
Lange M. D.
;
Nam P. S.
;
Lin C. H.
;
Quach H.
;
Gutierrez A. L.
;
Barsky M. E.
;
Wojtowicz M.
;
Oki A. K.
;
Block T. R.
;
Boos J. B.
;
Bennett B. R.
;
Papanicolaou N. A.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
HEMT;
manufacturability;
sinking;
ultralow-power;
29.
Liquid phase oxidation on InAlAs and application to gate insulator of InAlAs/InGaAs HEMT lattice-matched to InP substrate
机译:
InAlAs上的液相氧化及其与InP衬底晶格匹配的InAlAs / InGaAs HEMT栅绝缘体的应用
作者:
Lee Kuan-Wei
;
Lin Hsien-Chang
;
Hsieh Ja-Hong
;
Cheng Yu-Chun
;
Wang Yeong-Her
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
HEMT;
InAlAs;
InP substrate;
gate insulator;
liquid phase oxidation;
30.
InAsP/InP(001) quantum dots emitting at 1.55 μm grown by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长的InAsP / InP(001)量子点以1.55μm发射
作者:
Michon A.
;
Hostein R.
;
Patriarche G.
;
Beaudoin G.
;
Gogneau N.
;
Beveratos A.
;
Robert-Philip I.
;
Sagnes I.
;
Laurent S.
;
Sauvage S.
;
Boucaud P.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
1.55 μm;
InAs/InP(001);
MOVPE;
alloying;
quantum dots;
31.
Semi-insulating InP detectors with guard ring electrode
机译:
带保护环电极的半绝缘InP检测器
作者:
Yatskiv Roman
;
Zdansky Karel
;
Pekarek Ladislav
;
Gorodynskyy Vladyslav
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP;
guard-ring;
radiation detector;
semi-insulating;
32.
New material and selective growth of thin SiC films for environmental and optoelectronics devices
机译:
用于环境和光电设备的SiC薄膜的新材料和选择性生长
作者:
Bourenane K.
;
Keffous A.
;
Belkacem Y.
;
Menari H.
;
Kechouane M.
;
Kerdja T.
;
Nezzal G.
;
Boukezzata A.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
SiC;
amorphous;
crystalline;
sensors;
thin films;
33.
Tuning InAs/InP(001) quantum dot emission from 1.55 to 2 μm by varying cap-layer growth rate in metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
通过改变金属有机气相外延中的盖层生长速率将InAs / InP(001)量子点发射从1.55调整到2μm
作者:
Michon A.
;
Hostein R.
;
Patriarche G.
;
Beaudoin G.
;
Gogneau N.
;
Beveratos A.
;
Robert-Philip I.
;
Sagnes I.
;
Laurent S.
;
Sauvage S.
;
Boucaud P.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
2 μm;
InAs/InP(001);
MOVPE;
cap-layer growth rate;
quantum dots;
34.
35 nm metamorphic HEMT MMIC technology
机译:
35 nm变形HEMT MMIC技术
作者:
Leuther A.
;
Tessmann A.
;
Massler H.
;
Losch R.
;
Schlechtweg M.
;
Mikulla M.
;
Ambacher O.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InGaAs/InAlAs heterostructure;
metamorphic high electron mobility transistor (mHEMT);
submillimeter-wave monolithic integrated circuit (S-MMIC);
35.
InP DHBT circuits for 100 Gb/s Ethernet applications
机译:
用于100 Gb / s以太网应用的InP DHBT电路
作者:
Weimann Nils G.
;
Houtsma V.
;
Baeyens Y.
;
Weiner J.
;
Tate A.
;
Frackoviak J.
;
Chen Y.K.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Amplifier;
Demux;
HBT;
Heterostructure;
InP;
Mux;
36.
Experimental demonstration of 1×4 InP/InGaAsP optical integrated multimode interference waveguide switch
机译:
1×4 InP / InGaAsP光集成多模干涉波导开关的实验演示
作者:
Niwa Shintaro
;
Matsuo Shinji
;
Kakitsuka Takaaki
;
Kitayama Ken-ichi
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
(MMI) coupler;
Optical switch;
component;
multimode interference;
semiconductor waveguides;
37.
X-ray CTR scattering analysis of As accumulation on GaInAs surface and growth temperature effects
机译:
GaInAs表面As堆积的X射线CTR散射分析及生长温度的影响
作者:
Mori A.
;
Tameoka H.
;
Tabuchi M.
;
Takeda Y.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP/GaInAs interface;
MOVPE;
X-ray CTR scattering;
atomic scale characterization;
hetero-structure;
38.
755-nm InGaAsP laser diodes
机译:
755 nm InGaAsP激光二极管
作者:
Nomoto E.
;
Taniguchi T.
;
Ohtoshi T.
;
Funane T.
;
Saito K.
;
Sasaki S.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
755-nm;
AlGaInP;
InGaAsP;
biological;
laser;
medical;
single mode;
39.
InGaAs-InP Uni-Traveling-Carrier photodiodes for high power capability
机译:
InGaAs-InP单向载运光电二极管,具有高功率能力
作者:
Chtioui Mourad
;
Enard Alain
;
Carpentier Daniele
;
Bernard Stephan
;
Rousseau Benjamin
;
Lelarge Francois
;
Pommereau Frederic
;
Achouche Mohand
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
−1dB compression;
high power photodiode;
photodiode;
series-resistance;
space-charge effect;
thermal dissipation;
uni-traveling-carrier;
40.
Selective growth of InP on areas (1μm×1μm) of silicon (100) substrate by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延选择性生长InP在硅(100)衬底的区域(1μm×1μm)上的选择性生长
作者:
Araki K.
;
Hasegawa S.
;
Asahi H.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP;
SEM;
Si substrate;
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
selective growth;
41.
Evidence of lateral coupling on the carrier dynamics in InAs/InP(311)B quantum dots
机译:
横向耦合对InAs / InP(311)B量子点中载流子动力学的影响
作者:
Dore F.
;
Labbe C.
;
Folliot H.
;
Nakkar A.
;
Paranthoen C.
;
Chevalier N.
;
Tavernier K.
;
Even J.
;
Loualiche S.
;
Lagarde D.
;
Balocchi A.
;
Marie X.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InAs quantum dots;
coupling;
time resolved photoluminescence;
42.
Bit-error-rate measurement of GaInAsP/InP distributed reflector laser with wirelike active regions
机译:
带有线状有源区的GaInAsP / InP分布式反射器激光器的误码率测量
作者:
Lee SeungHun
;
Ullah Saeed Mahmud
;
Shindo Takahiko
;
Davis Kyle Spencer
;
Nishiyama Nobuhiko
;
Arai Shigehisa
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Distributed reflector (DR) laser;
dynamic characteristics;
high speed modulation;
semiconductor lasers;
43.
Comparative collector design in InGaAs and GaAsSb based InP DHBTs
机译:
基于InGaAs和GaAsSb的InP DHBT中的比较集电极设计
作者:
Nodjiadjim V.
;
Riet M.
;
Scavennec A.
;
Berdaguer P.
;
Gentner J.L.
;
Godin J.
;
Bove P.
;
Lijadi M.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAsSb base;
InGaAs base;
InP heterojunction bipolar transistor;
base-collector transit time;
44.
Reliable 1550nm SI BH lasers fabricated using an improved Ru precursor
机译:
使用改进的Ru前驱体制造的可靠1550nm SI BH激光器
作者:
Lealman I.
;
Dosanjh S.
;
Rivers L.
;
OBrien S.
;
Cannard P.
;
Sweeney S. J.
;
Marko I. P.
;
Rushworth S.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Ru doping;
Semi-insulating;
Semiconductor laser;
component;
45.
InAs/InGaAs composite-channel HEMT on InP: Tailoring InGaAs thickness for performance
机译:
InP上的InAs / InGaAs复合通道HEMT:针对性能调整InGaAs厚度
作者:
Lange M. D.
;
Mei X. B.
;
Chin T. P.
;
Yoshida W. H.
;
Deal W. R.
;
Liu P.-H.
;
Lee J.
;
Uyeda J. J.
;
Dang L.
;
Wang J.
;
Liu W.
;
Li D. T.
;
Barsky M. E.
;
Kim Y.-M.
;
Radisic V.
;
Lai R.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InAs;
InP high-electronmobility transistor (HEMT);
composite channel;
molecular-beam epitaxy (MBE);
46.
Influence of Yb and Yb
2
O
3
on the properties of InP layers
机译:
Yb和Yb
2 inf> O
3 inf>对InP层性能的影响
作者:
Prochazkova O.
;
Grym J.
;
Zavadil J.
;
Lorineik J.
;
Zdansky K.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP;
SIMS;
Yb;
photoluminiscence;
rare earth elements;
semiconductors;
47.
RIE-plasma induced optical property degradation in GaInAsP/InP quantum-well structures
机译:
RIE等离子体诱导GaInAsP / InP量子阱结构中的光学性质退化
作者:
Kurokawa Munetaka
;
Plumwongrot Dhanorm
;
Ozawa Koji
;
Maruyama Takeo
;
Nishiyama Nobuhiko
;
Arai Shigehisa
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
CH4/H2 plasma damage;
GaInAsP/InP;
PL;
RIE;
annealing;
non-radiative recombination;
48.
Characterization of 1×5 InP/InGaAsP waveguide switch based on optical phased array
机译:
基于光相控阵的1×5 InP / InGaAsP波导开关的表征
作者:
Tanemura Takuo
;
Takeda Koji
;
Nakano Yoshiaki
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP devices;
Optical packet switching;
Optical switch;
Photonic integrated circuit;
49.
Low noise and high gain-bandwidth product AlInAs avalanche photodiodes
机译:
低噪声,高增益带宽积AlInAs雪崩光电二极管
作者:
Rouvie Anne
;
Carpentier Daniele
;
Decobert Jean
;
Lagay Nadine
;
Pommereau Frederic
;
Achouche Mohand
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
APD;
AlInAs;
dark current;
excess noise factor;
gain-bandwidth product;
ionization coefficients ratio;
multiplication;
50.
Optimization of InP APDs for high-speed lightwave systems
机译:
高速光波系统的InP APD的优化
作者:
Ong D. S. G.
;
Ng J. S.
;
David J. P. R.
;
Hayat M. M.
;
Sun P.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
avalanche duration;
avalanche photodiodes;
impact ionization;
intersymbol interference;
noise;
receiver sensitivity;
51.
Improved optical confinement in 1.55 μm InAs/GaInAsP quantum dot lasers grown by MOVPE
机译:
通过MOVPE生长的1.55μmInAs / GaInAsP量子点激光器的光学限制得到改善
作者:
Franke D.
;
Harde P.
;
Kreissl J.
;
Moehrle M.
;
Rehbein W.
;
Kuenzel H.
;
Pohl U.W.
;
Bimberg D.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
1.55 μm lasers;
MOVPE;
Nanostructures;
quantum dots;
52.
Growth and characterization of bulk GaInSb crystals from non-stoichiometric melts
机译:
非化学计量熔体的块状GaInSb晶体的生长和表征
作者:
Bliss David
;
Becla Piotr
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
crystal growth;
gallium antimonide;
stoichiometry;
53.
GaAsSbN/GaAs long wavelength PIN detectors
机译:
GaAsSbN / GaAs长波长PIN检测器
作者:
Chi-Kuang Chen
;
Ta-Chun Ma
;
Yan-Ting Lin
;
Hao-Hsiung Lin
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAsSbN;
dilute nitrides;
photodetctor;
54.
Growth and applications of GaSb crystals
机译:
GaSb晶体的生长及应用
作者:
Dieguez E.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
55.
Waveguide optical isolators fabricated by direct bonding
机译:
通过直接粘合制造的波导光隔离器
作者:
Mizumoto Tetsuya
;
Shoji Yuya
;
Ryouhei Takei
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
direct bonding;
magneto-optic garnet;
optial isolator;
photonic integrated circuit;
56.
40 Gbit/s directly modulated passive feedback laser
机译:
40 Gbit / s直接调制无源反馈激光器
作者:
Troppenz Ute
;
Kreissl Jochen
;
Rehbein Wolfgang
;
Bornholdt Carsten
;
Sartorius Bernd
;
Schell Martin
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
40 Gbit/s transmitter;
VSR transmission;
chirp;
direct modulation;
multi-section laser;
57.
New frontiers in InP based quantum devices
机译:
基于InP的量子设备的新领域
作者:
Razeghi Manijeh
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
epitaxy;
high performance;
quantum cascade lasers;
quantum devices;
58.
Evidence of RTS noise in emitter-base periphery of InP/GaAsSb/InP HBT
机译:
InP / GaAsSb / InP HBT发射极-基极周边的RTS噪声证据
作者:
Grandchamp Brice
;
Maneux Cristell
;
Labat Nathalie
;
Touboul Andre
;
Scavennec Andre
;
Riet Muriel
;
Godin Jean
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
GaAsSb;
HBT;
RTS noise;
low-frequency noise;
temperature;
59.
10 GHz modulation bandwidth of 1550nm InAs/InP Quantum Dash based lasers
机译:
1550nm InAs / InP Quantum Dash激光器的10 GHz调制带宽
作者:
Lelarge F.
;
Brenot R.
;
Rousseau B.
;
Martin F.
;
Poingt F.
;
LeGouezigou L.
;
Le Gouezigou O.
;
Derouin E.
;
Drisse O.
;
Pommereau F.
;
Accard A.
;
Caligaro M.
;
Make D.
;
Dagens B.
;
Provost J.-G.
;
Krakowski M.
;
van-Dijk F.
;
Duan G.H.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP-based directly modulated lasers;
Quantum dashes;
gas source molecular beam epitaxy;
opto electronic devices;
60.
Coherent power combination in multi-element sub-THz RTD oscillators coupled with MIM stub structure
机译:
多元素亚太赫兹RTD振荡器的相干功率组合以及MIM短截线结构
作者:
Suzuki Safumi
;
Urayama Kenta
;
Asada Masahiro
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
coherent power combining;
planar coupling;
resonant tunneling diode;
terahertz and sub-terahertz oscillator;
terahertz device;
61.
Three level masking for improved aspect ratio InP-based photonic crystals
机译:
三级掩膜可改善基于InP的光子晶体的长宽比
作者:
Karouta F.
;
Docter B.
;
Geluk E.J.
;
Smit M.K.
;
Kaspar P.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Clinf2/inf-Oinf2/inf;
ICP etching;
InP;
aspect ratio;
photonic crystals;
62.
Injection type GaInAsP/InP/Si DFB lasers directly bonded on SOI substrate
机译:
直接结合在SOI衬底上的注入型GaInAsP / InP / Si DFB激光器
作者:
Okumura Tadashi
;
Maruyama Takeo
;
Yonezawa Hidenori
;
Nishiyama Nobuhiko
;
Arai Shigehisa
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Distributed Feedback laser;
Photonic Integrated Circuit;
Silicon On Insulator;
Wafer Bonding;
63.
Low temperature MBE-grown In(Ga,Al)As/InP structures for 1.55 μm THz photoconductive antenna applications
机译:
低温MBE生长的In(Ga,Al)As / InP结构,用于1.55μmTHz光电导天线应用
作者:
Kuenzel H.
;
Boettcher J.
;
Biermann K.
;
Hensel H.J.
;
Roehle H.
;
Sartorius B.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InGaAs/InAlAs multilayers;
THz devices;
low temperature MBE;
64.
InP DHBT-based ICs for 100 Gbit/s data transmission
机译:
用于100 Gbit / s数据传输的基于InP DHBT的IC
作者:
Driad R.
;
Makon R. E.
;
Hurm V.
;
Schneider K.
;
Benkhelifa F.
;
Losch R.
;
Rosenzweig J.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Ethernet;
distributed amplifier;
heterojunction bipolar transistors;
indium phosphide;
integrated circuits;
multiplexer;
65.
Refractive index study of n-type InGaAs grown on InP substrates
机译:
在InP衬底上生长的n型InGaAs的折射率研究
作者:
Gozu S.
;
Mozume T.
;
Ishikawa H.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InGaAs;
doping;
optical absorption change;
plasma effect;
refractive index;
66.
InAs quantum wires on InP substrate for VCSEL applications
机译:
用于VCSEL应用的InP衬底上的InAs量子线
作者:
Lamy J. M.
;
Paranthoen C.
;
Levallois C.
;
Nakkar A.
;
Folliot H.
;
Dehaese O.
;
Le Corre A.
;
Loualiche S.
;
Castany O.
;
Dupont L.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP;
VCSEL;
polarization;
quantum dashes;
67.
Theoretical and experimental analysis of InAs/InP quantum dash lasers
机译:
InAs / InP量子破折号激光器的理论和实验分析
作者:
Heck S.C.
;
Healy S.B.
;
Osborne S.
;
Williams D.P.
;
Fehse R.
;
OReilly E.P.
;
Lelarge F.
;
Poingt F.
;
Accard A.
;
Pommereau F.
;
Legouezigou O.
;
Dagens B.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
long wavelength lasers;
quantum-well-wire and dot devices;
semiconductor lasers;
68.
High quality In
x
Ga
1−x
As (x: 0.1– 0.13) platy crystal growth for substrates of 1.3μm laser diodes
机译:
1.3μm激光二极管基板的高质量In
x inf> Ga
1-x inf> As(x:0.1– 0.13)板状晶体生长
作者:
Kinoshita K.
;
Ueda T.
;
Yoda S.
;
Aoki H.
;
Hosokawa T.
;
Yamamoto S.
;
Matsushima M.
;
Arai M.
;
Kawaguchi Y.
;
Kondo Y.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
a new growth method;
bulk crystal growth;
substrates for laser diodes;
ternary;
69.
≫ 100 mW RT-CW output power from thermally optimized 1.55μm VECSEL
机译:
thermal经过热优化的1.55μmVECSEL提供100 mW RT-CW输出功率
作者:
Tourrenc J.-P.
;
Bouchoule S.
;
Harmand J.-C.
;
Miard A.
;
Oudar J.-L.
;
Decobert J.
;
Lagay N.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Bragg Mirror;
Thermal Optimization;
VECSEL;
70.
Investigation of impact ionization from In
x
Ga
1-x
As to InAs Channel HEMTs for high speed and low power applications
机译:
从In
x inf> Ga
1-x inf> As到高速低功率应用的InAs通道HEMT碰撞电离的研究
作者:
Kuo Chien-I
;
Hsu Heng-Tung
;
Chang Edward Yi
;
Chang Chia-Ta
;
Chang Chia-Yuan
;
Miyamoto Yasuyuki
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
HEMTs;
InAs-channel;
InGaAs-channel;
impact ionization;
71.
Fabrication of In
0.52
Al
0.48
As/In
0.53
Ga
0.47
As p-HEMT utilizing Ne-based atomic layer etching
机译:
利用基于Ne的原子层制备In
0.52 inf> Al
0.48 inf> As / In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As p-HEMT刻蚀
作者:
Kim Tae-Woo
;
Shin Seung Heon
;
Park Sang Duk
;
Yeom Geun Young
;
Jang Jae-Hyung
;
Song Jong-In
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Atomic layer etching (ALET);
IinfON/inf/IinfOFF/inf ratio;
peudomorphic high electron mobility transistor (p-HEMT);
72.
Origin of the annealing-induced blue-shift in GaAsSbN
机译:
GaAsSbN中退火引起的蓝移的起源
作者:
Lin Yan-Ting
;
Ma Ta-Chun
;
Chen Tsung-Yi
;
Lin Hao-Hsiung
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
FTIR;
GaAsSbN;
PL;
absorption;
blue shift;
73.
Strain issues on III–V compound semiconductors - imaging of strain distribution and crystal growth
机译:
III–V型化合物半导体的应变问题-应变分布和晶体生长的成像
作者:
Fukuzawa M.
;
Yamada M.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
photoelastisity;
polariscope;
residual strain;
slip generation;
wafer breakage;
74.
40 Gbps operation of MOBILE and its application to weighted-sum threshold logic gate using only RTDS
机译:
仅使用RTDS,MOBILE的40 Gbps操作及其在加权和阈值逻辑门中的应用
作者:
Kim Hyungtate
;
Park Myunghwan
;
Seo Kwangseok
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
MOBILE;
RTD;
threshold logic gate;
75.
Single growth platform for integration of tuneable laser and semiconductor optical amplifier
机译:
集成可调谐激光器和半导体光放大器的单一增长平台
作者:
Engelstaedter Jan Peter
;
Roycroft Brendan
;
Peters Frank H.
;
Corbett Brian
;
Guo Wei-Hua
;
Byrne Diarmuid
;
Lu Qiao-Yin
;
Donegan John F.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
SOA;
photonic integrated circuits;
single growth integration platform;
tuneable laser;
76.
The upper limits of cut-off frequency in ultra-short gate length InP-based p-HEMTs
机译:
基于超短栅极长度InP的p-HEMT中的截止频率上限
作者:
Akis R.
;
Faralli N.
;
Ferry D. K.
;
Goodnick S.M.
;
Saraniti M.
;
Ayubi-Moak J. S.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Millimeter wave transistors;
Monte Carlo methods;
effective gate length;
pseudomorphic HEMTs;
77.
10-Gbit/s optical duobinary transmission using lossless InP n-p-i-n Mach-Zehnder modulator with semiconductor optical amplifier
机译:
使用具有半导体光放大器的无损InP n-p-i-n Mach-Zehnder调制器进行10-Gbit / s光双二进制传输
作者:
Yasui Takako
;
Shibata Yasuo
;
Kikuchi Nobuhiro
;
Tsuzuki Ken
;
Kawaguchi Yoshihiro
;
Arai Masakazu
;
Yasaka Hiroshi
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
Monolithic integration;
Optical duobinary transmission;
Semiconductor Mach-Zehnder modulator;
Semiconductor optical amplifiers;
component;
78.
InP nanowires grown on Silicon and SrTiO
3
by VLS assisted MBE
机译:
VLS辅助MBE在硅和SrTiO
3 inf>上生长的InP纳米线
作者:
Naji K.
;
Dumont H.
;
Saint-Girons G.
;
Robach Y.
;
Rojo-Romeo P.
;
Bru-Chevallier C.
;
Gendry M.
;
Patriarche G.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
InP/Si nanowires;
VLS;
oxide template;
solid source MBE;
79.
240 nm wide wavelength range of AlGaInAs MQWs selectively grown by MOVPE
机译:
MOVPE选择性生长的240nm宽波长范围的AlGaInAs MQW
作者:
Decobert J.
;
Dupuis N.
;
Lagree P. Y.
;
Lagay N.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
AlGaInAs;
CWDM;
InP;
MOVPE;
MQW;
SAG;
80.
mm-wave op-amps for low distortion amplification with high OIP3/P
DC
ratio ≫ 100 at 2 GHz
机译:
毫米波运算放大器,可在2 GHz下以高OIP3 / P
DC inf>比≫ 100进行低失真放大
作者:
Griffith Zach
;
Urteaga Miguel
;
Rodwell Mark J.W.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
81.
Fabrication technology and device performances of ultra-short 30-nn-gate pseudomorphic In
0.52
Al
0.48
As/In
0.75
Ga
0.25
As HEMTs
机译:
超短30-nn门伪型In
0.52 inf> Al
0.48 inf> As / In
0.75 inf> Ga
0.25 < / inf>作为HEMT
作者:
Wichmann N.
;
Shchepetov A.
;
Duszynski I.
;
Roelens Y.
;
Wallart X.
;
Dambrine G.
;
Cappy A.
;
Bollaert S.
会议名称:
《Indium Phosphide Related Materials, 2008 International Conference on》
关键词:
HEMT;
InAlAs/InGaAs;
InP;
cutoff frequency;
gate length;
high electron mobility transistor;
two-step-recessed gate technology;
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