HEMT; InAlAs; InP substrate; gate insulator; liquid phase oxidation;
机译:液相氧化InAlAs作为栅极绝缘体改善InAlAs / InGaAs金属-氧化物-半导体变质HEMT中的碰撞电离效应和亚阈值电流
机译:InAlAs / InGaAs HEMT与InP衬底晶格匹配的高能和复合诱导电致发光
机译:InAlAs / InGaAs HEMT的电致发光与InP衬底晶格匹配
机译:Inalas液相氧化和InAlas / Ingaas Hemt格栅栅极栅极栅的应用与INP衬底
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”