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赵永林; 蔡道明; 周州; 郭亚娜; 刘跳;
中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部;
湿法选择腐蚀; 选择比; InP/InAlAs; 光电子集成电路;
机译:B. Galieva,A. Ji的修正案。 Vasilyeva,R.M.Maumova,E. A.Klimova,P.P.P.Maltseva,S.S.Pushkareva,M. Yu。Presnyakova,I. N.Trunkin“Inalas / Ingaas / Inalas Hemg的结构和电神科性质,在量子坑中的INP基材上的InP衬底上的InP衬底的结构和电神经性质。” 2014. T. 59.第6号。第6. P. 990-998
机译:两步栅极凹陷过程结合了选择性湿法蚀刻和数字湿法蚀刻,用于Inalas / InGaAs基于INP的垫圈
机译:在300–500°C下在InP,InGaAs,InAlAs和InGaAs / InAlAs异质结构上形成的氧化物的表征
机译:InGaAs / InAlAs / InP异质结构场效应晶体管的选择性湿法刻蚀
机译:高性能半导体器件的选择性湿法蚀刻和腐蚀工艺的基础研究。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”
机译:用于ULp应用的Inp / InGaas HBT和Inalas / InGaas HBT的比较
机译:InP衬底上的InAlAs / InGaAs两周期超晶格
机译:包括InP InAlAs InGaAs及其合金的半导体化合物的反应离子刻蚀
机译:与InP匹配的InAlAs和InGaAs晶格的干法刻蚀
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