机译:两步栅极凹陷过程结合了选择性湿法蚀刻和数字湿法蚀刻,用于Inalas / InGaAs基于INP的垫圈
Zhengzhou Univ Sch Phys &
Engn Zhengzhou 450001 Henan Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
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Chinese Acad Sci Inst Microelect Beijing 100029 Peoples R China;
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High electron mobility transistors (HEMTs); Gate-recess; Digital wet-etching; Selective wet-etching;
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