机译:超短栅长InGaAs / InAlAs HEMT中截止频率的上限:有效栅长的新定义
机译:两步栅极凹陷过程结合了选择性湿法蚀刻和数字湿法蚀刻,用于Inalas / InGaAs基于INP的垫圈
机译:两步栅凹工艺,用于基于InAl的InAl基HEMT的选择性湿法刻蚀和数字湿法刻蚀
机译:栅极凹槽结构对超高速InGaAs / InAlAs HEMT截止频率的重要性
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:基于台面结构的聚酰亚胺钝化InAlAs / InGaAs APD的制备与表征
机译:错误到:“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”