avalanche photodiodes InAlAs InP multiplication gain polyamide passivation eye-diagrams;
机译:聚酰亚胺钝化工艺对InAlAs / InGaAs和AlGaAs / GaAs HBT的应力电流行为
机译:基于变质InAlAs / InGaAs / InAlAs纳米异质结构的太赫兹应用半导体器件的研究与制造
机译:InAlAs / InGaAs异质结中新型红外光电导传感器的制备与表征
机译:基于MESA有源区的各种尺寸的顶级照射高速MESA型INALAS / INGAAS APD的性能表征
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于DSTMS发射器和LTG InGaAs / InAlAs光电导天线检测器的宽带THz-TDS系统
机译:基于多酰亚胺钝化的台面结构的INALAS / INGAAS APDS的制造与表征
机译:利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构