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王茂菊; 李斌; 章晓文; 陈平; 韩静;
中国电子学会;
薄栅氧化物; 击穿机理; 斜坡电压法; 寿命评价; 集成电路; 绝缘击穿; 可靠性;
机译:一种将指数电流斜坡击穿分布转换为恒定电流TDDB空间的新算法以及对栅极氧化物Q_BD测量方法的影响
机译:栅极电压斜坡卷积神经网络加速器栅极电压斜坡方法的高精度对称重量更新
机译:等离子体工艺沉积厚绝缘膜的击穿电压和AC TDDB可靠性的温度依赖性研究
机译:薄栅氧化层PMOSFET中TDDB寿命的幂律电压依赖性通用性
机译:在BTI和TDDB降级的情况下提高微处理器的可靠性。
机译:如何正确测量电流-电压关系?-内插与斜坡方法在GABAA受体研究中的应用
机译:初始冲击波电压对步进电压斜坡冲击波碎石术后病变大小的影响
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:用于非易失性存储器的高电压产生方法,涉及响应于另一种斜坡电压来斜坡电压,其中前一种斜坡电压的斜坡速度比另一种斜坡速度慢
机译:半导体设备的TDDB测试结构和能够将测量电压无干扰地应用于第一测试电池和第二测试电池的TDDB测试方法
机译:TDDB测试图和MOS电容器介电膜的TDDB测试图及TDDB测试方法
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