机译:多振动氢释放:超薄栅氧化物中T_(bd),Q_(bd)幂律电压与氧化物击穿的物理关系
机译:T / sub BD /幂律与超薄栅氧化物中氧化物击穿电压相关的实验证据
机译:恒压应力和衬底热载流子注入下超薄栅氧化物MOS电容器的TDDB特性
机译:薄栅极氧化物PMOSFET中TDDB寿命的幂律电压依赖性的普遍性
机译:薄栅氧化物质量及其寿命的表征和建模。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:恒压应力下超薄栅极氧化物MOS电容器的TDDB特性及基板热载体喷射
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响