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肖金生;
集成电路;
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机译:通过双电压斜坡电介质击穿(DVRDB)测试来预测低k / ULK互连电介质的时变电介质击穿(TDDB)特性的改进berman模型
机译:在BTI和TDDB降级的情况下提高微处理器的可靠性。
机译:改进的经耳蜗入路系统的石油斜坡区和脑桥前池
机译:热原子损坏(曾)有限的铁电记忆的TDDB寿命
机译:使用电容 - 电压法研究mOs结构
机译:TDDB测试图和MOS电容器介电膜的TDDB测试图及TDDB测试方法
机译:船用柴油机组成部分疲劳评价方法,疲劳评价装置,剩余寿命诊断方法,剩余寿命诊断装置和系统
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