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机译:外延源极/漏极触点自对准栅极,用于沉积FET通道
公开/公告号GB2494012B
专利类型
公开/公告日2014-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
申请/专利号GB20120009073
发明设计人 PAUL CHANG;JOSEPHINE CHANG;VIJAY NARAYANAN;JEFFREY SLEIGHT;
申请日2011-05-10
分类号H01L51/05;H01L51/00;
国家 GB
入库时间 2022-08-21 15:35:59
机译: 外延源极/漏极触点自对准栅极,以沉积FET通道
机译: 外延源极/漏极触点自对准栅极,用于沉积FET通道