机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:具有Ni1-yPty SiGe源极/漏极触点的P沟道三栅极FinFET,可增强驱动电流性能
机译:低于30 nm通道的高性能Si线GAA MOSFET的栅极场工程和源极/漏极扩散工程以及低功耗策略
机译:带有钼源极/漏极触点的后栅极In0.53Ga0.47As通道FinFET
机译:铟镓砷金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有5 nm沟道,并通过MBE再生长实现自对准源/漏。
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:具有各种Si翅片延伸长度的P沟道FinFET的性能特征,用于源极和漏极螺栓