用于沉积的FET沟道的自对准到栅极的外延源极/漏极接触

摘要

本发明公开一种形成自对准器件的方法，包括：将纳米碳管(CNT)沉积到晶体介电衬底上；隔离所述晶体介电衬底的包围所述CNT的位置的部分；在维持所述CNT的结构完整性的同时，在所述CNT上形成栅极电介质和栅极电极栅极叠层；以及形成外延源极和漏极区，所述外延源极和漏极区与在所述晶体介电衬底上的所述CNT的从所述栅极电介质和栅极电极栅极叠层暴露的部分接触。