公开/公告号CN1716551B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-03-23
原文格式PDF
申请/专利权人 IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司;
申请/专利号CN200510056262.0
发明设计人 J·J·G·P·卢;Y·V·波诺马廖夫;
申请日2005-03-29
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人李玲
地址 比利时勒芬
入库时间 2022-08-23 09:06:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-03-23
授权
授权
2007-05-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-04
公开
公开
机译: 在受控的薄硅或非硅沟道制造中在双栅极FET中制造自对准源极和漏极触点的方法
机译: 在双栅极FET中制造自对准源极和漏极触点的方法,并控制制造薄硅或非硅沟道
机译: 在双栅极FET中制造自对准源极和漏极触点的方法,并控制制造薄硅或非硅沟道