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机译:外延横向过生长在Si上生长的InP中的平面缺陷过滤研究
机译:新的平面自对准双栅完全耗尽的P-MOSFET,使用外延横向过度过度流过(ELO)和选择性地生长源/漏极(S / D)
机译:利用外延横向过生长来增加电压的薄硅太阳能电池的设计,制造和分析
机译:通过自对准双倍外延横向过生长制造的电驱动高效的基于GaN的三维GaN发光二极管
机译:外延横向过生长在Si上生长的InP中的平面缺陷滤波研究