低偏振高功率1 310 nm超辐射发光二极管的液相外延生长

摘要

对新月形超辐射发光二极管的液相外延生长过程进行了机理分析.利用Matlab软件对建立的非平面生长模型进行了理论计算,并利用扫描电镜(SEM)对液相外延生长的形貌进行了分析,通过理论计算与实验分析设计了获得低偏振、高功率超辐射发光二极管的外延结构.利用该结构研制的超辐射发光二极管芯片在100 mA工作电流、25℃工作温度下输出功率达到3.6 mW,相应的输出波长为1 306 nm,光谱半宽为39nm,光谱波纹为0.17 dB,偏振度为2％.