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Super-junction trench MOSFETs with closed cell layout

机译:具有闭合单元布局的超结沟槽MOSFET

摘要

A super-junction trench MOSFET with closed cell layout is disclosed, wherein closed gate trenches surrounding a deep trench in each unit cell. Trenched source-body contacts are disposed between the closed gate trenches and the deep trench. The deep trench has square, rectangular, circle or hexagon shape.
机译:公开了具有闭合单元布局的超结沟槽MOSFET,其中,封闭的栅极沟槽围绕每个单位单元中的深沟槽。沟槽的源极-本体触点设置在封闭的栅极沟槽和深沟槽之间。深沟槽具有正方形,矩形,圆形或六边形形状。

著录项

  • 公开/公告号US9337328B1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FORCE MOS TECHNOLOGY CO. LTD.;

    申请/专利号US201414559061

  • 发明设计人 FU-YUAN HSIEH;

    申请日2014-12-03

  • 分类号H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/49;H01L23/535;H01L23/532;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:28:08

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