200mm Trench MOSFET管用硅外延电阻率管控

摘要

200 mm重掺As衬底的MOSFET外延片在后续芯片制程中,由于还需要经历高温环节(大于1100℃),因此衬底中As的自掺杂效应将再次出现,从而使外延片边缘区域的电阻率降低明显.在外延过程中,需要将外延片边缘区域的电阻率有意控制略高于中心区域.在控制过程中通过引入Offset(差值)的管理方法,确保外延层边缘3mm区域与中心区域的偏差减小,从而实现片内管芯之间性能一致.