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Epitaxial Silicon Carbide Films Grown by New Method of Replacement of Atoms on the Surface of High-resistivity (111) Oriented Silicon

机译：通过在高电阻率的表面上更换原子的新方法生长的外延碳化硅膜（111）取向硅

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Dina I. Bakranova; Sergey A. Kukushkin; Kair Kh. Nussupov; Andrey V. Osipov; Nurzhan B. Beisenkhanov;
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年度 2016
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1. Epitaxial Silicon Carbide Films Grown by New Method of Replacement of Atoms on the Surface of High-resistivity (111) Oriented Silicon [J] . Dina I. Bakranova1, Sergey A. Kukushkin2a, Kair Kh. Nussupov1, MATEC Web of Conferences . 2016,第2016期

机译：通过高电阻率（111）取向硅表面上的原子置换新方法生长的外延碳化硅膜
2. Structural properties and parameters of epitaxial silicon carbide films, grown by atomic substitution on the high-resistance (111) oriented silicon [J] . S.A. Kukushkin, K. Kh. Nussupov, A.V. Osipov, Superlattices and microstructures . 2017,第nova期

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3. Polytype Stability and Microstructural Characterization of Silicon Carbide Epitaxial Films Grown on [1120]- and [0001]-Oriented Silicon Carbide Substrates [J] . S.M. BISHOP, C.L. REYNOLDS, Z. LILIENTAL-WEBER, Journal of Electronic Materials . 2007,第4期

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4. Mechanisms of epitaxial growth of SiC films by the method of atom substitution on the surfaces (100) and (111) of Si single crystals and on surfaces of Si films grown on single crystals Al2O3 [C] . S A Kukushkin, A V Osipov International Conference on Vacuum Technique and Technology . 2018

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