首页> 美国政府科技报告 >Investigation of the luminescent phenomena of high resistivity silicon and study of electrical characteristics of tunneling into low resistivity silicon Annual progress report, 20 Sep. 1968 - 19 Sep. 1969
【24h】

Investigation of the luminescent phenomena of high resistivity silicon and study of electrical characteristics of tunneling into low resistivity silicon Annual progress report, 20 Sep. 1968 - 19 Sep. 1969

机译:高电阻率硅发光现象的研究及低电阻率硅隧道电特性研究年度进展报告,1968年9月20日 - 1969年9月19日

获取原文

摘要

Recombination luminescence and electron tunneling in silicon

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号