双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种双极晶体管的集电区和集电区埋层的制造工艺方法，一方面以离子注入和退火工艺制造赝埋层(21)即集电区埋层，赝埋层(21)的面积较小，因而后续工艺中不再需要深槽隔离结构对赝埋层(21)进行分割。另一方面，本发明以离子注入工艺制造掺杂区(23)即集电区，取代了成本较高的外延工艺。本发明简化了制造方法，从而节约了制造成本。