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机译:使用p型掺杂掩埋层的集电极向上异质结双极晶体管
Natl Cent Univ, Dept Elect Engn, Jhongli 32001, Taiwan;
ION IMPLANTATION; SUBCOLLECTOR; HBTS; FABRICATION; EPITAXY;
机译:新型集电极npn InGaP / GaAs异质结双极晶体管,具有p型掺杂埋层的电流限制仿真研究
机译:高/ f / sub max /集电极向上的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管,具有通过氧离子注入制造的重掺杂碳的基极
机译:通过氧离子注入制造的具有高碳掺杂基极的高f / sub max /集电极向上AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管
机译:通过氧离子注入制造的具有高碳掺杂基极的高f / sub max /集电极式AIGaAs / GaAs异质结双极晶体管
机译:MoS2向新型2D / 3D异质结双极晶体管的生长和Nb掺杂。
机译:异质结太阳能电池中间缓冲层的Cu掺杂对半导体ZnTe薄膜中p型载流子的显着影响和带隙的减小
机译:集电极向上拓扑中的单和双异质结双极晶体管
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响